MGO晶体基片公司-物美-「多图」

氧---的熔点在2800°c以上，沸点为3600°c，所以要想得到大尺寸、高纯度的氧---单晶，对原料的选择和控制要求非常严格。其次，要得到生长完1美、大尺寸的高晶体，整个冶炼过程非常耗时耗能，将长达几十个小时。在这个过程中如何调整控制电流和电压，使冶炼过程能够安全稳定运行，电控系统承担了zui艰巨的任务。

氧---mgo是镁的氧化物，一种离子化合物。常温下为一种白色固体。氧---以方镁石形式存在于自然界中，是冶镁的原料。氧---有高度耐火绝缘性能，经1000℃以上高温灼烧可转变为晶体。主要性能参数 生长方法：弧熔法；晶体结构：立方；晶格常数：a=4.130 a；熔点℃：2800；纯度：99.95%；密度g/cm3：3.58；硬度：5.5mohs；热膨胀系数/℃：11.2x10-6；晶体解理面：<100>;；光学透过：>;90%200~400nm，>;98%500~1000nm；介电常数：ε= 9.65；热导率卡／度 厘米 秒：0.14  300°k。

氧---(mgo)单晶基片是高频微波器件高温超导薄膜zui常选用的主要衬底材料之一， 也是当前可实现产业化的重要的高温超导薄膜基片。单晶氧---是指mgo含量在99.95%以上，具有极强的耐高低温高温2500℃，低温-270℃抗腐蚀性、绝缘性和-的导热性和光学性能、无色透明的晶体。具有岩盐晶体结构的mgo是一种宽禁带氧化物绝缘体，带隙eg为7.8 ev。优良的绝缘性、热传导性、热稳定性等特点使得mgo具有十分广泛的应用。