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河南轰击离子束刻蚀机生产厂家服务「在线咨询」
干法刻蚀种类很多，包括光挥发、气相腐蚀、等离子体腐蚀等。其优点是：各向---好，选择比高，可控性、灵活性、重复性好，细线条操作安全，易实现自动化，无化学废液，处理过程未引入污染，洁净度高。缺点是：成本高，设备复杂。干法刻蚀主要形式有纯化学过程如屏蔽式，下游式，桶式，纯物理过程如离子铣，物理化学过程，常用的有反应离子刻蚀rie，离子束辅助自由基刻蚀icp等。干法刻蚀方式很多，一般有：溅射与离子束铣蚀， 等离子刻蚀plasma etching，高压等离子刻蚀，高密度等离子体hdp刻蚀，反应离子刻蚀rie。另外，化学机械抛光cmp，剥离技术等等也可看成是广义刻蚀的一些技术。
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通过向晶片盘片施加强rf射频电磁场，在系统中启动等离子体。该场通常设定为13.56兆赫兹的频率，施加在几百瓦特。振荡电场通过剥离电子来电离气体分子，从而产生等离子体 [3] 。在场的每个循环中，电子在室中上下电加速，有时撞击室的上壁和晶片盘。同时，响应于rf电场，的离子移动相对较少。当电子被吸收到腔室壁中时，它们被简单地送到地面并且不会改变系统的电子状态。然而，沉积在晶片盘片上的电子由于其dc隔离而导致盘片积聚电荷。这种电荷积聚在盘片上产生大的负电压，通常约为几百伏。由于与自由电子相比较高的正离子浓度，等离子体本身产生略微正电荷。由于大的电压差，正离子倾向于朝向晶片盘漂移，在晶片盘中它们与待蚀刻的样品碰撞。离子与样品表面上的材料发生化学反应，但也可以通过转移一些动能来敲除溅射某些材料。由于反应离子的大部分垂直传递，反应离子蚀刻可以产生非常各向---的蚀刻轮廓，这与湿化学蚀刻的典型各向同性轮廓形成对比。rie系统中的蚀刻条件很大程度上取决于许多工艺参数，例如压力，气体流量和rf功率。 rie的改进版本是深反应离子蚀刻，用于挖掘深部特征。
离子束刻蚀是通过物理溅射功能进行加工的离子铣。国内应用广泛的双栅考夫曼刻蚀机通常由屏栅和加速栅组成离子光学系统，其工作台可以方便地调整倾角，使碲镉gong基片法线与离子束的入射方向成θ角，并绕自身的法线旋转，如图1所示。评价沟槽轮廓主要的参数有沟槽的开口宽度we、沟槽的刻蚀-h、台面的坡度角φ和沟槽底部的宽度wb。我们常用的深宽比aspectratio是指槽深h和槽开口宽度we的比值，本文中用r表示。深宽比是常用来作为衡量刻蚀工艺水平和刻蚀图形好坏的评价参数。
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