而未米的0.18um}艺甚至0.13m工艺,所需要的靶材纯度将要求达到5甚至6n以上。铜与铝相比较,铜具有更高的抗电迁移能力及---的电阻率,能够满足!导体工艺在0.25um以下的亚微米布线的需要但却带米了其他的问题:铜与有机介质材料的附着强度低.并且容易发生反应,导致在使用过程中芯片的铜互连线被腐蚀而断路。镀膜靶材是通过磁控溅射、多弧离子镀或其他类型的镀膜系统在适当工艺条件下溅射在基板上形成各种功能薄膜的溅射源。
为了解决以上这些问题,需要在铜与介质层之间设置阻挡层。阻挡层材料一般采用高熔点、高电阻率的金属及其化合物,因此要求阻挡层厚度小于50nm,与铜及介质材料的附着性能---。铜互连和铝互连的阻挡层材料是不同的.需要研制新的靶材材料。溅射靶材的要求较传统材料行业高,一般要求如,尺寸、平整度、纯度、各项杂质含量、密度、n/o/c/s、晶粒尺寸与缺陷控制。铜互连的阻挡层用靶材包括ta、w、tasi、wsi等.但是ta、w都是难熔金属.制作相对困难,如今正在研究钼、铬等的台金作为替代材料。
但是靶材制作困难,这是因为氧化铟不容易烧结在一起。一般采用zro2、bi2o3、ceo等作为烧结添加剂,能够获得密度为理论值的93%~98%的靶材,这种方式形成的ito薄膜的性能与添加剂的关系---。日本的科学家采用bizo作为添加剂,bi2o3在820cr熔化,在l500℃的烧结温度超出部分已经挥发,这样能够在液相烧结条件下得到比较纯的ito靶材。当通过用紫外线照射其表面或者使其暴露于臭氧中,使导电橡胶辊的表面上形成氧化膜时,导电橡胶辊表面的氧浓度变得较高。而且所需要的氧化物原料也不一定是纳米颗粒,这样可以简化前期的工序。
什么是靶材绑定?靶材绑定的适用范围、流程?
绑定是指用焊料将靶材与背靶焊接起来。主要有三种的方式:压接、钎焊和导电胶。
1.压接:采用压条,一般为了提高接触的---性,会增加石墨纸、pb或in皮;
2.钎焊:一般使用软钎料的情况下,要求溅射功率小于20w/cm2,钎料常用in、sn、in-sn;我司采用铟焊绑定技术。
3.导电胶:采用的导电胶要耐高温,厚度在0.02-0.05um。
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