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刻蚀腔体刻蚀腔体是icp 刻蚀设备的---结构,它对刻蚀速率、刻蚀的垂直度以及粗糙度都有直接的影响。刻蚀腔的主要组成有:上电极、icp 射频单元、rf 射频单元、下电极系统、控温系统等组成。
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真空系统真空系统有两套,分别用于预真空室和刻蚀腔体。预真空室由机械泵单独抽真空,只有在预真空室真空度达到设定值时,才能打开隔离门,进行传送片。刻蚀腔体的真空由机械泵和分子泵共同提供,刻蚀腔体反应生成的气体也由真空系统排空。
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高密度等离子体源在刻蚀工艺上具有许多优势,例如,可以更准确地控制工作尺寸,刻蚀速率更高,的材料选择性。高密度等离子体源可以在低压下工作,从而减弱鞘层振荡现象。使用高密度等离子体源刻蚀晶片时,为了使能量和离子通量彼此独立,需要采用独立射频源对晶圆施加偏压。因为典型的离子能量在几个电子伏特量级,在离子进入负鞘层后,其能量经加速将达到上百电子伏特,并具有高度指向性,从而赋予离子刻蚀的各向---。
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