大功率IGBT测试仪加工规格齐全“本信息长期有效”

测试参数： ices 集电极-发射极漏电流 igesf 正向栅极漏电流 igesr 反向栅极漏电流 bvces 集电极-发射极击穿电压 vgeth 栅极-发射极阈值电压 vcesat 集电极-发射极饱和电压 icon 通态电极电流 vgeon 通态栅极电压 vf 二极管正向导通压降 整个测试过程自动完成，电脑软件携带数据库管理查询功能，可生成测试曲线，方便操作使用。安全技术要求：满足gb19517—2009电气设备安全技术规范。

3.3主要技术要求

3.3.1 动态参数测试单元技术要求

3.3.1.1 环境条件

1)海拔高度：海拔不超过1000m；

2)温度：储存环境温度 -20℃～60℃；

3)工作环境温度： -5℃～40℃；

4)湿度：20%rh 至 90%rh (无凝露，湿球温度计温度: 40℃以下)；

5)震动：抗能力按7级设防，地面抗震动能力≤0.5g；

6)防护：无较大灰尘，腐蚀或性气体，导电粉尘等空气污染的损害；

9尖峰抑制电容 用于防止关断瞬态过程中的igbt器件电压过冲。 ?电容容量 200μf ?分布电感 小于10nh ?脉冲电流 2ka ?工作温度 室温～40℃ ?工作湿度 <70% 11动态测试续流二极管 用于防止测试过程中的过电压。 ?反向电压 8000v(2只串联) ?-di/dt大于2000a/μs ?通态电流 1200a ?2主要技术参数 1基本参数 功率源： 5000v1200a 2栅极-发射极漏电流iges iges： 0。压降小于1v ?浪涌电流大于20ka ?反向恢复时间小于2μs ?工作温度 室温～40℃ ?工作湿度 <70% 12安全工作区测试续流二极管 ?反向电压 12kv(3只串联) ?-di/dt 大于2000a/μs ?通态电流 1200a ?压降 小于1v ?浪涌电流 大于20ka ?反向恢复时间 小于2μs ?工作温度 室温～40℃ ?工作湿度 <70%

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