福建便携式IGBT测试仪加工厂家实力-“本信息长期有效”

为何老化的元件必须尽早发现及尽早更换？

当功率元件老化时，元件的内阻在导通时-加大，因而使温度升高，并使其效能降低。长期使用后若温升过高时，会使元件在关闭时的漏电流急遽升高。(因漏电流是以温度的二次方的曲线增加)，进而使半导体的接口产生大量崩溃，而将此元件完全烧毁。3 机台可测mos项目 vf、vdsat、igss、vgth、bvdss、rds(on)、gfs3。当元件损毁时，会连带将其驱动电路上的元件或与其并联使用的功率元件一并损伤，所以，必须即早发现更换。

测试参数多且完整、应用领域更广泛，但只要使用其基本的2项功能：「开启」电流压降，「关闭」电流的漏电流，就可知道大功半导体有没有老化的现象。

?可移动型仪器，使用方便，测试简单快速，立即提供测试结果与数值。

?适用的半导体元件种类多，尤其能测大功率元件。

?用户能确实掌握新采购元件的，避免用到瑕疵或品。

?完全由计算机控制、快速的设定参数。

?适用于实验室和老化筛选的测试。

?操作非常简单、速度快。

?完全计算机自动判断、自动比对。

关断时间测试参数： 1、关断时间toff：5～2000ns±3%±3ns 2、关断-时间td(off)：5～2000ns±3%±3ns 3、下降时间tf：5～2000ns±3%±3ns 4、关断能量：0.2～1mj±5%±0.01mj 1～50mj±5%±0.1mj 50～100mj±5%±1mj 100～500mj±5%±2mj 5、关断耗散功率pon：10w～250kw 关断时间测试条件： 1、集电极电压vce：50～100v±3%±1v 100～500v±3%±5v 500v～1000v±3%±10v 2、集电极电流ic：50～100a±3%±1a; 100～500a±3%±2a; 500～1000a±3%±5a;

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