检修用IGBT测试仪价格在线咨询

现今power mosfet(金属氧化物场效晶体管)及igbt绝缘栅型场效应晶体管已成为大功率元件的主流，在市场上居于------。由于科技进步，电力电子装置对轻薄短小及之要求 ,带动mosfet及igbt的发展，尤其应用于电气设备、光电、航天、铁路、电力转换..01ma 栅极电压vge： 0v 6栅极-发射极阈值电压 vgeth： 1-10v±2%±0。..等领域，使半导体开发---在市场需求下，对大功率元件的发展技术，持续在突破。

3、系统基本参数

3.1 电 压 源：220vac ±10% ，50hz/60hz 20a rms；

3.2 加热功能：室温～150℃；

3.3 测试功能：可测试igbt模块及frd；

3.4 环境温度：25℃±15℃；

3.5 环境湿度：50% ±20% 相对湿度

4、动态测试基本配置

4.1 集电级电压 vcc： 50 ~ 1000v；

4.2 集电极电流 ic： 50 ~ 1000a 感性负载；

4.3 电流持续时间 it： 10 ~ 1000 us 单个脉冲或双脉冲的总时间； 4.4 脉 冲 模 式： 单脉冲和双脉冲；

4.5 单电流脉冲的设置： vcc，ic, 电感值自动计算脉宽；

4.6 双电流脉冲的设置： vcc, ic, 电感值，间隙时间10到50us(脉宽自动计算)；

开启qrr测试：第二个脉宽＝间隙时间，10~50us；

4.7 设备寄生电感 lint: < 65nh感性动态测试。

5 包装、标志和运输 卖方负责整套设备的包装和运输，并负担由此产生的费用。出厂调试结束、出厂前预验收完成后，卖方将为每个柜子量身定做包装柜，---包装坚固，能适应中国境内公路、铁路运输，并---设备在现场保存时间的要求。包装与运输由专人负责，每个部分随机文件包括发货清单、出厂合格证、试验报告和主要器件说明书等。以下参数的测试可以在不同的电压等级、电流等级、温度、机械压力、回路寄生电感以及不同的驱动回路参数下进行。

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