所述泡沫弹性层包含:至少三种具有不同体积电阻率的导电性橡胶,这三种导电性橡胶的体积电阻率小于约i x ο14 ω cm ;至少一种体积电阻率为约ixlo14qcm或的绝缘橡胶;以及至少两种导电性填料。
所述绝缘橡胶为选自由三元乙丙橡胶、硅橡胶和丁基橡胶构成的组中的至少一种橡胶。用于复印机和打印机等的带电辊、显影辊、---供给辊、转印辊等都必须具备适当的稳定的电阻值。根据本发明的第三方面,所述导电性橡胶和所述绝缘橡胶为氯醚橡胶、丁---橡胶和三元乙丙橡胶,或者为氯丁橡胶、氯醚橡胶、丁---橡胶和三元乙丙橡胶。根据本发明的第四方面,所述绝缘橡胶的含量为橡胶成分总量的约30%至约40%。
在所有应用产业中,半导体产业对靶材溅射薄膜的品质要求是苛刻的。如今12英寸300衄口的硅晶片已制造出来.而互连线的宽度却在减小。稀土金属制取(preparationofrareearthmetal),将稀土化合物还原成金属的过程。硅片制造商对靶材的要求是大尺寸、高纯度、低偏析和细晶粒,这就要求所制造的靶材具有---的微观结构。靶材的结晶粒子直径和均匀性已被认为是影响薄膜沉积率的关键因素。另外,薄膜的纯度与靶材的纯度关系---,过99.995%4n5纯度的铜靶,或许能够满足半导体厂商0.35pm工艺的需求,但是却无法满足如今0.25um的工艺要求。
各种纯度铝中的杂质含量及剩余电阻率如表2所示。超纯金属超纯的纯度也可以用剩余电阻率来测定,其值约为2×10-5。不仅是半导体材料,其他金属也有同样的情况,由于杂质存在影响金属的性能。现代科学技术的发展趋势是对金属纯度要求越来越高。因为金属未能达到一定纯度的情况下,金属特性往往为杂质所掩盖。不仅是半导体材料,其他金属也有同样的情况,由于杂质存在影响金属的性能。
钨过去用作灯泡的灯丝,由于脆性而使处理上有困难,在适当提纯之后,这种缺点即可以克服钨丝也有掺杂及加工问题。
烧结法: ito靶材烧结制作法是在以铟锡氧化物共沉淀粉末或氧化铟和氧锡混合粉末为原料,加入粘结剂和分散剂混合后,压力成型,脱脂,然后于1400℃---1600℃烧结。区域提纯后的金属锗,其锭底表面上的电阻率为30~50欧姆厘米时,纯度相当于8~9,可以满足电子器件的要求。烧结法设备投入少,成本低,产品密度高、缺氧率低,尺寸大、但制造过程中对粉末的选择性很强。
ito靶制备的透明导电薄膜广泛应用于数码相机、投影电视、数码显示的各种光学系统中,全球需求量都很大。
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