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紫外光刻胶价格-「在线咨询」
为了避免光刻胶线条的倒塌，线宽越小的光刻工艺，就要求光刻胶的厚度越薄。在20nm技术节点，光刻胶的厚度已经减少到了100nm左右。但是薄光刻胶不能有效的阻挡等离子体对衬底的刻蚀 [2] 。为此，研发了含si的光刻胶，这种含si光刻胶被旋涂在一层较厚的聚合物材料常被称作underlayer，其对光是不敏感的。---显---，利用氧等离子体刻蚀，把光刻胶上的图形转移到underlayer上，在氧等离子体刻蚀条件下，含si的光刻胶刻蚀速率远小于underlayer，具有较高的刻蚀选择性 [2] 。含有si的光刻胶是使用分子结构中有si的有机材料合成的，例如硅氧烷，，含si的树脂等
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根据化学反应机理和显影原理的不同，光刻胶可以分为负性胶和正性胶。对某些溶剂可溶，但经---后形成不可溶物质的是负性胶;反之，对某些溶剂不可溶，经---后变成可溶的为正性胶。 从需求端来看，光刻胶可分为半导体光刻胶、面板光刻胶和pcb光刻胶。其中，半导体光刻胶的技术壁垒较高。
光刻胶产品种类多、性强，是典型的技术密集型行业。不同用途的光刻胶---光源、反应机理、制造工艺、成膜特性、加工图形线路的精度等性能要求不同，导致对于材料的溶解性、耐蚀刻性、耐热性等要求不同。因此每一类光刻胶使用的原料在化学结构、性能上都比较特殊，要求使用不同品质等级的光刻胶化学品。
目前全球光刻胶市场基本被日本和美业所垄断。光刻胶属于高技术壁垒材料，生产工艺复杂，纯度要求高，需要长期的技术积累。日本的jsr、东京应化、信越化学及富士电子四家企业占据了全球70%以上的市场份额，处于市场垄断---。
光刻胶市场需求逐年增加，2018年全球半导体光刻胶销售额12.97亿美元。随着下游应用功率半导体、传感器、存储器等需求扩大，未来光刻胶市场将持续扩大。
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