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溅射镀膜又分为很多种，总体看，与蒸发镀膜的不同点在于溅射速率将成为主要参数之一。

溅射镀膜中的激光溅射镀膜pld，组分均匀性容易保持，而原子尺度的厚度均匀性相对较差(因为是脉冲溅射)，晶向(外沿)生长的控制也比较一般。以pld

为例，因素主要有：靶材与基片的晶格匹配程度、镀膜氛围(低压气体氛围)、基片温度、激光器功率、脉冲频率、溅射时间。对于不同的溅射材料和基片，zui佳参数需要实验确定，是各不相同的，镀膜设备的好坏主要在于能否精i确控温，能否---好的真空度，能否---好的真空腔清洁度。对于不同的溅射材料和基片，zui佳参数需要实验确定，是各不相同的，镀膜设备的好坏主要在于能否精i确控温，能否---好的真空度，能否---好的真空腔清洁度。mbe分子束外沿镀膜技术，已经

比较好的解决了如上所属的问题，但是基本用于实验研究，工业生产上比较常用的一体式镀膜机主要以离子蒸发镀膜和磁控溅射镀膜为主。

上述四种都属于物---相沉积技术应用pvd。

接下来是化学气相沉积cvd。它是以化学反应的方式制作薄膜，原理是一定温度下，将含有制膜材料的反应气体通到基片上并被吸附，在基片上产生化学反应形成核，随后反应生成物脱离基片表面不断扩散形成薄膜。

束流沉积镀，结合了离子注入与气相沉积镀膜技术的离子表面复合处理技术，是一种利用离化的粒子作为蒸镀材料，在比较低的基片温度下，形成具有---特性薄膜的技术。

众所周知，在某些材料的表面上，只要镀上一层薄膜，就能使材料具有许多新的、---的物理和化学性能。20世纪70年代，在物体表面上镀膜的方法主要有电镀法和化学镀法。前者是通过通电，使电解液电解，被电解的离子镀到作为另一个电极的基体表面上，因此这种镀膜的条件，基体必须是电的良导体，而且薄膜厚度也难以控制。后者是采用化学还原法，必须把膜材配制成溶液，并能迅速参加还原反应，这种镀膜方法不仅薄膜的结合强度差，而且镀膜既不均匀也不易控制，同时还会产生大量的废液，造成---的污染。在真空条件下，利用气体放电使工作气体或被蒸发物质膜材部分离化，并在离子轰击下，将蒸发物或其反应物沉积在基片表面。因此，这两种被人们称之为湿式镀膜法的镀膜工艺受到了很大的---。

真空电镀的前处置在电镀出产线上是电镀技术中十分关键的一步，基体资料外表处置的好坏直接影响镀层的，因而应对电镀前处置恰当的注重。

　　镀件的镀前处置是决议电镀的重要要素之一。在实习出产中，电镀故障率80%以上出在前处置工序，所以电镀前处置作用的好坏就显得尤为重要，下面详细介绍基体的外表状况对镀层布局和联系力的影响。