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回收无边框单晶硅服务放心-

发布者:苏州振鑫焱光伏科技有限公司  时间:2020-7-2 
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电池片的检验

振鑫焱光伏科技有限责任公---期购置:天价回收硅片,电池片,初中级多晶硅,银浆布,单晶硅,多晶硅,太阳电池,太阳能组件,太阳能光伏板,顾客撤离,退级,库存量,el,欠佳检测,2手,旧,工程项目,拆装,道路路灯,拆卸发电厂,拆装,人造板,层压板,---限结晶硅,多晶硅,单晶硅,试验板,负债---,返修,太阳能发电控制模块收购等。 

电池片的检测 

一、检测的标准

1.高于800lx的直射下,间距电池片30-50cm的间距,看着方位垂直平分电池片表层观查。 

二、检测的方式 1、取放电池片时要轻拿小心轻放,125的电池片维持在1-2的检验速率,150及156的电池片要一整片一整片的开展查验。 

三、检验新项目1.色调偏色2.绒面色素斑3.亮斑4.裂痕、裂缝及破孔5.弯折的6.崩边、豁口、掉角7.印刷偏位8.ttv9.铝珠、铝苞10.包装印刷图型11.跑模12.尺寸



振鑫焱光伏科技有限公司常年采购:---回收硅片,电池片,初级多晶硅,银浆布,单晶硅,多晶硅,太阳能电池,光伏组件,太阳能电池板,客户撤退,降级,库存,el,---测试,二手,旧,工程,拆卸,路灯,拆解电站,拆卸,胶合板,层压板,无边界晶体硅,多晶硅,单晶硅,实验板,---偿还,返工,光伏模块回收等。

背电场:

a 级:

背电场完整,厚薄均匀,允许有缺失,缺失面积不超过背电场总面积的 5% ,变色面积不超过背电场面积的 15% 。

新的标准:背电场完整,厚薄均匀,不允许有缺失

b 级:

允许有缺失,缺失面积不超过背电场总面积的 10% ,变色面积不超过背电场面积的 30% 。

新的标准:允许有缺失,缺失面积不超过背电场总面积的 5% ,变色面积不超过背电场面积的 15% 。

c 级:

允许有缺失,缺失面积不超过背电场总面积的 10% ,变色面积不超过背电场面积的 50% 。

新的标准:缺失面积不超过背电场总面积的 5% ,变色面积不超过背电场面积的 50% 。

粗点:

粗点宽度≤ 0.18mm ,个数小于 2 个

新的标准:不允许有粗点

粗点宽度≤ 0.25mm ,个数小于 5 个

新的标准:允许有粗点,粗点宽度≤ 0.18mm ,个数小于 2 个

粗点宽度≤ 0.3mm ,个数小于 8 个

新的标准:当主栅线或副栅线有明显粗细不均时,应用刻度显微镜进行查检。





电池片丝网印刷技术

振鑫焱光伏科技有限公司常年采购:---回收硅片,电池片,初级多晶硅,银浆布,单晶硅,多晶硅,太阳能电池,光伏组件,太阳能电池板,客户撤退,降级,库存,el,---测试,二手,旧工程,拆卸,路灯,拆解电站,拆卸,胶合板,层压板,无边界晶体硅,多晶硅,单晶硅,实验板,---偿还,返工,光伏模块回收等。

电池片丝网印刷技术


5  设备  

对设备的要求有如下 3 点:  

1 工作台的平面度。印刷时电池片被吸附于工作台表面,如表面不平,在负压下电池片易裂,以 150mm 电池片为例,工作台的平面度不大于 0.02mm ;  

2 工作台重复定位精度。根据太阳能电池片的精度要求,工作台重复定位精度达到 0.01mm 即能满足工艺要求;  

3 印刷时丝网与工作台的平行度决定印刷膜厚度的一致性,根据使用要求,以 150mm 电池片为例二者平行度 0.04mm 。

电池片的平面度不大于 0.02mm ,表面粗糙度低于 1.6 。  

6  结束语  

    太阳能电池印刷是电池片生产线的重要工序,对电池片的起着重要作用,太阳能电池印刷技术是一个有机的整体,是各种技术的组合,需要工艺---和设备---的协同工作:既要了解各个参数的特点,又要了解其相互的制约关系; 3 种印刷工序既有相同之处又有区别,需要针对不同工序的具体要求分。








电池片生产工艺流程

振鑫焱光伏科技有限责任公---期购置:天价回收硅片,电池片,初中级光伏电池,银浆布,单晶硅,光伏电池,太阳能电池板,太阳能组件,太阳能光伏板,顾客撤离,退级,库存量,el,欠佳检测,二手,旧工程项目,拆装,道路路灯,拆卸发电厂,拆装,人造板,聚酰薄膜,---限结晶硅,光伏电池,单晶硅,试验板,负债---,返修,太阳能发电控制模块收购等。 电池片生产流程 一 、 制绒 a. 目地 在硅单晶的表面产生坑凹状表面,降低电池片的反射的自然光,提升二次反射的总面积。 一般状况下,用碱解决是以便获得金字塔状磨砂皮;用酸处理是以便获得虫孔状磨砂皮。无论是哪样磨砂皮,都能够提升硅单晶的陷光功效。 b.步骤 1. 基本标准下,硅与单纯性的hf、hno 3 硅表面会被钝化处理,二氧化硅与hno 3 不反映觉得不是反映的。但在二种混和酸的管理体系中,硅则能够与水溶液开展不断的反映 。 硅的氧化 ---化钠/---hno 2 将硅氧化成二氧化硅关键是---将硅氧化 si 4hno 3 =sio 2 4no 2 2h 2 o (慢反映 3si 4hno 3 =3si



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