登录后台
江苏光刻胶价格近期行情
感光树脂经光照后，在---区能很快地发生光固化反应，使得这种材料的物理性能，---是溶解性、亲合性等发生明显变化。经适当的溶剂处理，溶去可溶性部分，得到所需图像见图光致抗蚀剂成像制版过程。光刻胶广泛用于印刷电路和集成电路的制造以及印刷制版等过程。光刻胶的技术复杂，品种较多。根据其化学反应机理和显影原理，可分负性胶和正性胶两类。光照后形成不可溶物质的是负性胶；反之，对某些溶剂是不可溶的，经光照后变成可溶物质的即为正性胶。利用这种性能，将光刻胶作涂层，就能在硅片表面刻蚀所需的电路图形。基于感光树脂的化学结构，光刻胶可以分为三种类型。光聚合型，采用烯类单体，在光作用下生成自由基，自由基再进一步引发单体聚合，后生成聚合物，具有形成正像的特点。光分解型，采用含有---醌类化合物的材料，经光照后,会发生光分解反应,由油溶性变为水溶性，可以制成正性胶。光交联型，采用---月桂酸酯等作为光敏材料,在光的作用下,其分子中的双键被打开，并使链与链之间发生交联，形成一种不溶性的网状结构，而起到抗蚀作用，这是一种典型的负性光刻胶。柯达公司的产品kpr胶即属此类。感光树脂在用近紫外光辐照成像时，光的波长会---分辨率见感光材料的提高。为进一步提高分辨率以满足---规模集成电路工艺的要求，必须采用波长更短的辐射作为光源。由此产生电子束、x 射线和深紫外(<250nm)刻蚀技术和相应的电子束刻蚀胶，x射线刻蚀胶和深紫外线刻蚀胶，所刻蚀的线条可细至1□m以下。
赛米莱德生产、销售光刻胶，我们为您分析该产品的以下信息。
一般来说线宽的用正胶,线窄的用负胶，正性光刻胶比负性的精度要高，负胶显---图形有涨缩，负性胶---在2~3μm.，而正性胶的分辨力优于0.5μm 导致影响精度，正性胶则无这方面的影响。虽然使用更薄的胶层厚度可以---负性胶的分辨率，但是薄负性胶会影响。同种厚度的正负胶，在对于抗湿法和腐蚀性方面负胶---，正胶---。汶颢科技提供az、su_8、及其他系类光刻胶的供应与技术参数。
1、分辨率:区别硅片表---邻图形特性的能力，一般用关键尺寸来衡量 分辨率。形成的关键尺寸越小，光刻胶的分辨率越好。
2、对比度:指光刻胶从---区到非---区过渡的陡度。对比度越好，形成图形的侧壁越陡峭，分辨率越好。
3、敏感度:光刻胶上产生一 个---的图形所需一 定波长的小能量值(或小---量)。单位:焦/平方厘米或mj/cm2.光刻胶
的敏感性对于波长更短的深紫外光(duv)、极深紫外光(euv)等尤为重要。
4、粘滞性/黏度:衡量光刻胶流动特性的参数。粘滞性随着光刻胶中的溶剂的减少而增加;高的粘滞性会产生厚的光刻胶;越小的
粘滞性，就有越均匀的光刻胶厚度。
5、粘附性:表征光刻胶粘着于衬底的强度。光刻胶的粘附性不足会导致硅片表面的图形变形。
6、抗蚀性:光刻胶必须保持它的粘附性，在后续的刻蚀i序中保护衬底表面。
7、表面张力:液体---表面分子拉向液体主体内的分子间吸引力。光刻胶应该具有比较小的表面张力，使光刻胶具有---的流动性
8、存储和传送:能量可以启动光刻胶。应该存储在密闭、低温、不透光的盒中。 同时必须规定光刻胶的闲置期限和存贮温度环境。
以上内容由赛米莱德为您提供，希望对同行业的朋友有所帮助！
分辨率、对比度和敏感度是光刻胶的---参数。随着集成电路的发展，芯片制造特征尺寸越来越小，对光刻胶的要求也越来越高。光刻胶的---参数包括分辨率、对比度和敏感度等。为了满足集成电路发展的需要，光刻胶朝着高分辨率、高对比度以及高敏感度等方向发展。
以上就是为大家介绍的全部内容，希望对大家有所帮助。如果您想要了解更多光刻胶的知识，欢迎拨打图片上的热线联系我们。
联系时请说明是在云商网上看到的此信息，谢谢！
推荐关键词：光刻胶,正性光刻胶,光刻胶公司
本页网址：https://www.ynshangji.com/xw/17921332.html
声明提示：
本页信息（文字、图片等资源）由用户自行发布,若侵犯您的权益请及时联系我们，我们将迅速对信息进行核实处理。
