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现在行业中通用的测量方法基本是手动进行的，其劣势在于手动测试受人为因素 (用力的大小，接触面积等)影响较大，手动测试无法实现同一被测物目标的多次数值的重现，手动测试时只能达到每次测试出来一个数值，无法做产品的分析。磁光盘需要的tbfeco合金靶材还在进一步发展，用它制造的磁光盘具有存储容量大，---，可反复无接触擦写的特点。另外一般的电阻测量仪器受温度和湿度的影响较大，无法测量，导致不能得出的数值，从而不能---广品的品质。

各种类型的溅射薄膜材料在半导体集成电路(vlsi)、光碟、平面显示器以及工件的表面涂层等方面都得到了广泛的应用。痕量元素的化学分析系指一克样品中含有微克级10克/克、毫微克级10克/克、微微克级10克/克杂质的确定。20世纪90年代以来，溅射靶材及溅射技术的同步发展，---地满足了各种新型电子元器件发展的需求。例如，在半导体集成电路制造过程中，以电阻率较低的铜导体薄膜代替铝膜布线：在平面显示器产业中，各种显示技术(如lcd、pdp、oled及fed等)的同步发展，有的已经用于电脑及计算机的显示器制造；在信息存储产业中，磁性存储器的存储容量不断增加，新的磁光记录材料不断推陈出新这些都对所需溅射靶材的提出了越来越高的要求，需求数量也逐年增加。

但是靶材制作困难，这是因为氧化铟不容易烧结在一起。钎焊：一般使用软钎料的情况下，要求溅射功率小于20w/cm2，钎料常用in、sn、in-sn。一般采用zro2、bi2o3、ceo等作为烧结添加剂，能够获得密度为理论值的93%~98%的靶材，这种方式形成的ito薄膜的性能与添加剂的关系---。日本的科学家采用bizo作为添加剂，bi2o3在820cr熔化，在l500℃的烧结温度超出部分已经挥发，这样能够在液相烧结条件下得到比较纯的ito靶材。而且所需要的氧化物原料也不一定是纳米颗粒，这样可以简化前期的工序。