大样片离子束刻蚀机生产厂家的行业须知「在线咨询」
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利用辉光放电原理将ya气分解为ya离子,ya离子经过阳极电场的加速对样品表面进行物理轰击,以达到刻蚀的作用。把ar气充入离子源放电室并使其电离形成等离子体,然后由栅极将离子呈束状引出并加速,具有一定能量的离子束进入工作室,射向固体表面轰击固体表面原子,使材料原子发生溅射,达到刻蚀目的,属纯物理刻蚀。
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等离子体刻蚀工艺包括以下六个步骤。 分离: 气体由等离子体分离为可化学反应的元素; 扩散: 这些元素扩散并吸附到硅片表面; 表面扩散:到达表面后, 四处移动; 反应: 与硅片表面的膜发生反应; 解吸: 反应的生成物解吸, 离开硅片表面; 排放: 排放出反应腔。
刻蚀的理想结果是将掩模(mask)的图形准确地转移到基片_上,尺寸没有变化。由于物理溅射的存在,掩模本身的不陡直和溅射产额随离子束入射角变化等原因,产生了刻面( faceting)、槽底开沟(trenching/ditching) 和再沉积等现象,这些效应的存在降低了图形转移精度。
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