精铝经过区熔提纯,只能达到5 的高纯铝,但如使用在有机物电解液中进行电解,可将铝提纯到99.9995%,并可除去有不利分配系数的杂质,然后进行区熔提纯数次,就能达到接近于 7 的纯度,杂质总含量<0.5ppm。烧结法设备投入少,成本低,产品密度高、缺氧率低,尺寸大、但制造过程中对粉末的选择性很强。这种超纯铝除用于制备化合物半导体材料外,还在低温下有高的导电性能,可用于低温电磁设备。
制备化合物半导体的金属如铟、磷,可利用氯化物精馏氢还原、电解精炼、区熔及拉晶提纯等方法制备超纯金属,总金属杂质含量为 0.1~1ppm。其他金属如银、金、镉、、铂等也能达到***6 的水平。
钨-钛靶材作为光伏电池镀膜材料是近发展起来的,它作为第三代太阳能电池的阻挡层是---择。
由于 w-ti 系列薄膜具有非常优良的性能,近几年来应用量急剧增加,2008年w-ti 靶材用量已达到400t,随着光伏产业的发展,这种靶材的需求量会越来越大。具行业预测其用量还会有很大的增加。现应用较普遍的是溶剂萃取法,它是工业分离高纯单一稀土元素的通用工艺。国际太阳能电池市场以100%的速度增长,目-界有30 多公司参与太阳能市场的进一步开发, 并已有的公司产品投入市场。
金属靶材材质分为:
镍靶、ni、钛靶、ti、锌靶、zn、铬靶、cr、镁靶、mg、铌靶、nb、锡靶、sn、铝靶、al、铟靶、in、铁靶、fe、---铝靶、zral、钛铝靶、tial、---靶、zr、铝硅靶、alsi、硅靶、si、铜靶cu、钽靶t、a、锗靶、ge、银靶、ag、钴靶、co、金靶、au、钆靶、gd、---靶、la、钇靶、y、钨靶、w、不锈钢靶、镍铬靶、nicr、铪靶、hf、钼靶、mo、铁镍靶、feni、钨靶、w等。主要有四种提纯方法在试验室中使用,即真空熔融,真空蒸馏或升华,电迁移和区域熔炼。
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