南京抛光剂价格

化学抛光是在不供电情况下产生抛光效果，其抛光原理与利用电流作用的电解抛光在本质上没有太大差别。化学抛光效果一般要比电解抛光效果差，在化学抛光中，由于材料的不均匀，会引起局部电位高低不一，产生局部阴阳极区，形成局部短路的微电池，使阳极发生局部溶解。而在电解抛光中由于外加电位的作用可以完全消除这种局部的阴极区，进行的电解，因此效果---。

抛光时间。要得到好的抛光效果，就需要花费一定的时间。若抛光时间太短，只能获得没有光泽的梨皮状表面。若时间过长，不仅溶解损失增大，而且加工表面会出现污点或斑点。因此存在着一个适当的时间范围，它受材料、抛光液的组成及抛光温度等因素的影响，通常难以预测，除用实验测定外，没有其他方法。化学抛光中往往产生氢气，这是抛光具有氢脆敏感性材料时必须注意的问题。另外，抛光液温度---100～200℃时，还会产生退火作用。为了把氢脆和退火作用的影响减小到，就必须在适宜的温度范围内选择尽可能短的抛光时间。

极氧化铝板化学抛光中出现的缺陷及其纠正措施是在生产的发展过程中不断总结完善的。白色附着物。该缺陷的形貌为化学抛光后的铝材表面上附着有一层白色的沉积物，且分布不均匀，附着物底部的铝材表面有可能被腐蚀。通常，该缺陷是因为化学抛光槽液中溶铝量太高所致，如果化学抛光槽液的相对密度在1.80以上，可以得到进一步证实。则需采取措施调整槽液中的溶铝量到正常的范围内。

多晶金刚石抛光液多晶金刚石抛光液以多晶金刚石微粉为主要成分，配合高分散性配方，可以在保持高切削率的同时不易对研磨材质产生划伤。主要应用于蓝宝石衬底的研磨、led芯片的背部减薄、光学晶体以及硬盘磁头等的研磨和抛光。氧化硅抛光液氧化硅抛光液cmp抛光液是以高纯硅粉为原料，经特殊工艺生产的一种高纯度低金属离子型抛光产品。广泛用于多种材料纳米级的高平坦化抛光，如：硅晶圆片、锗片、化合物半导体材料、磷化铟，精密光学器件、蓝宝石片等的抛光加工。

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