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固体光刻胶报价源头货「多图」
光刻胶也称为光致抗蚀剂，是一种光敏材料，它受到光照后特性会发生改变。光刻胶主要用来将光刻掩膜版上的图形转移到晶圆片上。
光刻胶有正胶和负胶之分。正胶经过---后，受到光照的部分变得容易溶解，经过显---被溶解，只留下未受光照的部分形成图形；而负胶却恰恰相反，经过---后，受到光照的部分会变得不易溶解，经过显---，留下光照部分形成图形。
负胶在光刻工艺上应用早，其工艺成本低、产量高，但由于它吸收显影液后会膨胀，导致其分辨率即光刻工艺中所能形成图形不如正胶，因此对于亚微米甚至更小尺寸的加工技术，主要使用正胶作为光刻胶。
光学光刻胶通常包含以下三种成分：(1)聚合物材料(也称为树脂)。聚合物材料在光的辐照下不发生化学反应，其主要作用是-光刻胶薄膜的附着性和抗腐蚀性，同时也决定着光刻胶薄膜的其他一些特性(如光刻胶的膜厚要求、弹性要求和热稳定性要求等)。(2)感光材料。感光材料一般为复合性物质(简称pac或感光剂)。感光剂在受光辐照之后会发生化学反应。正胶的感光剂在未---区域起抑制溶解的作用，可以减慢光刻胶在显影液中的溶解速度。以正性胶为例，使用g射线和i射线光刻中的正性胶是由---醌(简称为dq)感光剂和酚树脂构成。(3)溶剂(如----，pgme)。溶剂的作用是使光刻胶在涂覆到硅片表面之前保持为液态
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光刻加工工艺中为了图形转移，辐照必须作用在光刻胶上，通过改变光刻胶材料的性质，使得在完成光刻工艺后，光刻版图形被拷贝在圆片的表面。而加工前，如何选用光刻胶在很大程度上已经决定了光刻的精度。尽管正性胶的分辨力是较好的，但实际应用中由于加工类型、加工要求、加工成本的考虑，需要对光刻胶进行合理的选择。
光刻是整个集成电路制造过程中耗时长、难度大的工艺，耗时占ic制造50%左右，成本约占ic生产成本的1/3。光刻胶是光刻过程重要的耗材，光刻胶的对光刻工艺有着重要影响。
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