NR75 1000HP光刻胶公司免费咨询 北京赛米莱德公司

光刻胶

北京赛米莱德贸易有限公司供应美国futurrex新型lift-off光刻胶nr9-3000py，此款负胶的设计适用于比较宽的波长范围和i线366纳米---工具。在光刻胶生产种类上，我国光刻胶厂商主要生产pcb光刻胶，而lcd光刻胶和半导体光刻胶生产规模较小，相关光刻胶主要依赖进口。当显---nr9-3000py显示出负的侧壁角度，是lift-off工艺中比较简易的光刻胶。和其他胶相比nr9i-3000py有下面的优势：

光刻胶市场

据统计资料显示，2017年中国光刻胶行业产量达到7.56万吨，较2016年增加0.29万吨，其中，中国本土光刻胶产量为4.41万吨，与7.99万吨的需求量差异较大，说明我国供给能力还需提升。

国内企业的光刻胶产品目前还主要用于pcb领域，代表企业有晶瑞股份、科华微电子。

在半导体应用领域，随着汽车电子、物联网等发展，会在一定程度上增加对g线、i线的需求，利好g线、i线等生产企业。但由于光刻胶技术门槛高，就某一光刻胶子行业而言，仅有少数几家供应商有产品供应。预计g线正胶今后将占据50%以上市场份额，i线正胶将占据40%左右的市场份额，duv等其他光刻胶约占10%市场份额，给予北京科华、苏州瑞红等国内公司及美国futurrex的光刻胶较大市场机会。

光刻工艺重要性二

光刻胶的---波长由宽谱紫外向g线***i线***krf***arf***euv(13.5nm)的方向移动。随着---波长的缩短，光刻胶所能达到的---分辨率不断提高，光刻得到的线路图案精密度---，而对应的光刻胶的价格也更高。

光刻光路的设计，有利于进一步提升数值孔径，随着技术的发展，数值孔径由0.35发展到大于1。相关技术的发展也对光刻胶及其配套产品的性能要求变得---严格。

工艺系数从0.8变到0.4，其数值与光刻胶的产品有关。结合双掩膜和双刻蚀等技术，现有光刻技术使得我们能够用193nm的激光完成10nm工艺的光刻。

为了实现7nm、5nm制程，传统光刻技术遇到瓶颈，euv(13.5nm)光刻技术呼之欲出，台积电、三星也在相关领域进行布局。euv光刻光路基于反射设计，不同于上一代的折射，其所需光刻胶主要以无机光刻胶为主，如金属氧化物光刻胶。

光刻胶京东方

事实上，我国是在缺乏经验、缺乏技术人才，缺失关键上游原材料的条件下，全靠自己摸索。近年来，尽管光刻胶研发有了一定突破，但国产光刻胶还是用不起来。过去由于我国在开始规划发展集成电路产业上，布局不合理、不完整，---是生产加工环节的投资，而忽视了重要的基础材料、装备与应用研究。目前，国外阻抗已达到15次方以上，而国内企业只能做到10次方，满足不了客户工艺要求和产品升级的要求，有的工艺虽达标了，但批次稳定性不好。

“10次方的光刻胶经过多次烘烤，由于达不到客户需求的防静电作用，不能应用到新一代窄边框等面板上。而国外做到15次方就有了---的防静电作用。这还是我们的光刻胶材料、配方、生产工艺方面存在问题。”李中强说。

关键指标达不到要求，国内企业始终受制于人。就拿在国际上具有一定竞争实力的京东方来说，目前已建立17个面板显示生产基地，其中，有16个已经投产。但京东方用于面板的光刻胶，仍然由国外企业提供。