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氧化锌晶体厂家-物美-

发布者:合肥合瑞达光电材料有限公司  时间:2020-8-7 







基于氧化锌zno的紫外激光器的实现掀起了对于传统的纤锌矿结构的半导体氧化锌zno材料的新的研究热潮.氧化锌zno以其优良的综合性能将成为下一代光电子材料,因此对氧化锌zno单晶的研究有重要的理论和实践意义.目前生长氧化锌zno的方法有助熔剂法、水热法、气相法和坩埚下降法等等,但所生长的氧化锌zno单晶的尺寸和都有待于提高.氧化锌zno晶体在1975℃同成分熔化,在较高的温度下非常不稳定,不容易由熔体直接生长。目前主要是在尽可能低的温度下用化学气相输运法、水热法和助熔剂法生长。






氧化锌zno晶体随着环境条件的改变形成不同结构的晶体。zno晶体中的化学键既有离子键的成分,又有共价键的成分,两种成分的含量差不多,因而使得zno晶体中的化学键没有离子晶体那么强,导致其在一定的外界条件下更容易发生晶体结构上的改变。氧化锌zno单晶是具有六方晶系纤锌矿型化合物的晶体结构的半导体,其可直接跃 迁,禁带宽度(eg 3. 37ev)大。此外,与其它半导体材料(gan :21mev、znse :20mev)相比, 其激子结合能(zno :60mev)非常大,因此,可期待将其用作的发光器件材料。





氧化锌zno晶体作为新一代宽禁带、直接带隙的多功能ibⅵa族半导体材料,具有优良的光电、导电、压电、气敏、压敏等特性。氧化锌zno晶体随着环境条件的改变形成不同结构的晶体。zno晶体中的化学键既有离子键的成分,又有共价键的成分,两种成分的含量差不多,因而使得zno晶体中的化学键没有离子晶体那么强,导致其在一定的外界条件下更容易发生晶体结构上的改变。






氧化锌zno晶体随着环境条件的改变形成不同结构的晶体。zno晶体中的化学键既有离子键的成分,又有共价键的成分,两种成分的含量差不多,因而使得zno晶体中的化学键没有离子晶体那么强,导致其在一定的外界条件下更容易发生晶体结构上的改变。氧化锌zno半导体室温带隙为3.37ev,且束缚激子能-60mev,使其在紫外半导体光电器件方---有很大潜在应用价值。-的应用前景和制备难度使得zno晶体的生长技术成为材料研究的-。







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