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在真空度较高的环境下，通过加热或高能粒子轰击的方法使源材料以原子、分子或离子的形式逸出沉积物粒子，并且逸出的粒子在基片上沉积形成薄膜的技术。.pvd大家族里主要有三位成员：真空蒸发沉积技术蒸镀；溅射沉积技术；离化pvd技术。

蒸镀是在真空环境下，以各种加热方式赋予待蒸发源材料以热量，使源材料物质获得所需的蒸汽压而实现蒸发，所发射的气相蒸发物质在具有适当温度的基片上不断沉积而形成薄膜的沉积技术。

1化学气相沉积cvd反应温度一般在900~1200℃，中温cvd例如mocvd金属有机化合物化学气相沉积，反应温度在500~800℃。若通过气相反应的能量，还可把反应温度降低。

“辅助”cvd的工艺较多，主要有：

电子辅助cvdeacvd也称为电子束辅助cvd，电子增强cvd，或电子束-cvd，涂层的形成在电子作用下得到改进。

激光辅助cvdlacvd)，也称为激光cvd或光子辅助cvd，涂层的形成在激光辐照作用下得到改进。

热丝cvd，也称为热cvd，一根热丝放在被镀物件附近进行沉积。

金属有机化合物cvdmocvd，是在一种有机金属化合物气氛这种气氛在室温时是稳定的，但在高温下分解中进行沉积。

直流等离子体化学气相沉积dc-pcvd

dc-pcvd是利用高压直流负偏压-1～-5kv，使低压反应气体发生辉光放电产生等离子体，等离子体在电场作用下轰击工件，并在工件表面沉积成膜。

直流等离子体比较简单，工件处于阴极电位，受其外形、大小的影响，使电场分布不均匀，在阴极四周压降，电场强度，正由于有这一特点，所以化学反应也集中在阴极工件表面，加强了沉积效率，避免了反应物质在器壁上的消耗。缺点是不导电的基体或薄膜不能应用。由于阴极上电荷的积累会排斥进一步的沉积，并会造成积累放电，破坏正常的反应。

物---相沉积pvd工艺已经有100多年的历史了，等离子辅助pvd大约在80年前就申请了-。术语“物---相沉积”仅在60年代出现。当时，需要通过发展众所周知的技术来发展真空镀膜工艺，例如溅射，真空，等离子体技术，磁场，气体化学，热蒸发，弓形和电源控制，如powell的书中详细描述的。在过去的30年中，等离子辅助pvdpapvd被分为几种不同的电源技术，例如直流dc二极管，三极管，射频rf，脉冲等离子体，离子束辅助涂层等。，该过程在基本理解上存在一些困难，因此引入了-的更改以提供好处，例如从涂层到基材的-附着力，结构控制以及低温下的材料沉积。