离子束刻蚀机原理常用解决方案
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利用辉光放电原理将ya气分解为ya离子,ya离子经过阳极电场的加速对样品表面进行物理轰击,以达到刻蚀的作用。把ar气充入离子源放电室并使其电离形成等离子体,然后由栅极将离子呈束状引出并加速,具有一定能量的离子束进入工作室,射向固体表面轰击固体表面原子,使材料原子发生溅射,达到刻蚀目的,属纯物理刻蚀。
湿法刻蚀是一个纯粹的化学反应过程,是指利用溶液与预刻蚀材料之间的化学反应来去除未被掩蔽膜材料掩蔽的部分而达到刻蚀目的。其特点是:湿法刻蚀在半导体工艺中有着广泛应用:磨片、抛光、清洗、腐蚀优点是选择性好、重复性好、生产、设备简单、成本低。
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离子束刻蚀是通过物理溅射功能进行加工的离子铣。国内应用广泛的双栅考夫曼刻蚀机通常由屏栅和加速栅组成离子光学系统,其工作台可以方便地调整倾角,使碲镉基片法线与离子束的入射方向成θ角,并绕自身的法线旋转
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