平衡光电探测器品牌-

光电探测器响应度为多少

响应度r和-效率η是描述器件光电转换能力的物理量，其大小为光电转换器又称光检测器的平均输出电流ip与光电转换器又称光检测器的平均输入功率po的比值，即输出电信号电流大小与输入光信号功率大小之比。

用公式表示为：r=ip/po，单位为a/w。在光功率po的照射下，产生的光电流为ip=(e*po*η)/(h*f)。式中e为电子电荷；h为普朗克常数；光电探测器半导体光电探测器是利用半导体材料的光电效应来接收和探测光信号的器件，它通过吸收光子产生电子-空穴对，从而在外电路产生与入射光强度成正比的光电流以方便测量入射光。f为入射光频率；η为-效率，其数值总是小于1。因此又可把响应度的公式写为：r=η/(h*f/e)。由上式可见，响应度与器件材料、光波长有关。

光电探测器工作原理

光电探测器的基本工作机理包括三个过程：(1)光生载流子在光照下产生;(2)载流子扩散或漂移形成电流;(3)光电流在放大电路中放大并转换为电压信号。当探测器表面有光照射时，如果材料禁带宽度小于入射光光子的能量即eg

当光在半导体中传输时，光波的能量随着传播会逐渐衰减，其原因是光子在半导体中产生了吸收。半导体对光子的吸收的吸收为本征吸收，本征吸收分为直接跃迁和间接跃迁。通过测试半导体的本征吸收光谱除了可以得到半导体的禁带宽度等信息外，还可以用来分辨直接带隙半导体和间接带隙半导体。本征吸收导致材料的吸收系数通常比较高，由于半导体的能带结构所以半导体具有连续的吸收谱。从吸收谱可以看出，当本征吸收开始时，半导体的吸收谱有一明显的吸收边。但是对于硅材料，由于其是间接带隙材料，与三五族材料相比跃迁几率较低，因而只有非常小的吸收系数，同时导致在相同能量的光子照射下在硅材料中的光的吸收-。直接带隙材料的吸收边比间接带隙材料陡峭很多，如图 画出了几种常用半导体材料(如 gaas、inp、inas、si、ge、gap 等材料)的入射光波长和光吸收系数、渗透-的关系。对微弱的光信号，器件必须有合适的灵敏度，以-一定的信噪比和输出足够强的电信号。