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光刻胶分类

市场上，光刻胶产品依据不同标准，可以进行分类。依照化学反应和显影原理分类，光刻胶可以分为正性光刻胶和负性光刻胶。使用正性光刻胶工艺，形成的图形与掩膜版相同；使用负性光刻胶工艺，形成的图形与掩膜版相反。

按照感光树脂的化学结构分类，光刻胶可以分为光聚合型，采用烯类单体，在光作用下生成自由基，进一步引发单体聚合，后生成聚合物，具有形成正像的特点；光分解型，采用含有---醌类化合物的材料，其经光照后,发生光分解反应，可以制成正性胶；光交联型，采用---月桂酸酯等作为光敏材料，在光的作用下，形成一种不溶性的网状结构，而起到抗蚀作用，可以制成负性光刻胶。作为光刻工艺自身的首先过程，一薄层的对紫外光敏感的有机高分子化合物，即通常所说的光刻胶，要涂在样品表面(sio2)。

按照---波长分类，光刻胶可分为紫外光刻胶300~450nm、深紫外光刻胶160~280nm、极紫外光刻胶euv，13.5nm、电子束光刻胶、离子束光刻胶、x射线光刻胶等。光刻胶企业通常运营成本较高，下游厂商采购时间较长，为在设备、研发和技术服务上取得竞争优势，需要足够的中后期资金支持。不同---波长的光刻胶，其适用的光刻---分辨率不同，通常来说，在使用工艺方法一致的情况下，波长越小，加工分辨率越佳。

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三、光刻胶涂覆photoresist coating

光刻胶涂覆通常的步骤是在涂光刻胶之前，先在900-1100度湿氧化。按照---波长分类，光刻胶可分为紫外光刻胶300~450nm、深紫外光刻胶160~280nm、极紫外光刻胶euv，13。氧化层可以作为湿法刻蚀或b注入的膜版。作为光刻工艺自身的首先过程，一薄层的对紫外光敏感的有机高分子化合物，即通常所说的光刻胶，要涂在样品表面(sio2)。首先光刻胶被从容器中取出滴布到置于涂胶机中的样品表面，(由真空负压将样品固定在样品台上)，样品然后高速旋转，转速由胶粘度和希望胶厚度确定。在这样的高速下，胶在离心力的作用下向边缘流动。

涂胶工序是图形转换工艺中初的也是重要的步骤。涂胶的直接影响到所加工器件的缺陷密度。为了---线宽的重复性和接下去的显影时间，同一个样品的胶厚均匀性和不同样品间的胶厚一致性不应超过±5nm(对于1.5um胶厚为±0.3%)。

光刻胶的目标厚度的确定主要考虑胶自身的化学特性以及所要图形中线条的及间隙的微细程度。正胶pr1-2000a1技术资料正胶pr1-2000a1是为---波长为365或者436纳米，可用于晶圆步进器、扫描投影对准器、近程打印机和接触式打印机等工具。太厚胶会导致边缘覆盖或连通、小丘或田亘状胶貌、使成品率下降。在mems中、胶厚(烤后)在0.5-2um之间，而对于特殊微结构制造，胶厚度有时希望1cm量级。在后者，旋转涂胶将被铸胶或等离子体胶聚合等方法取代。常规光刻胶涂布工序的优化需要考虑滴胶速度、滴胶量、转速、环境温度和湿度等，这些因素的稳定性很重要。

在工艺发展的早期，负胶一直在光刻工艺中占------，随着vlsi ic和2～5微米图形尺寸的出现，负胶已不能满足要求。随后出现了正胶，但正胶的缺点是粘结能力差。

用正胶需要改变掩膜版的极性，这并不是简单的图形翻转。不同---波长的光刻胶，其适用的光刻---分辨率不同，通常来说，在使用工艺方法一致的情况下，波长越小，加工分辨率越佳。因为用掩膜版和两种不同光刻胶结合，在晶园表面光刻得到的尺寸是不一样的，由于光在图形周围的衍射效应，使得用负胶和亮场掩膜版组合在光刻胶层上得到的图形尺寸要比掩膜版上的图形尺寸小。用正胶和暗场掩膜版组合会使光刻胶层上的图形尺寸变大。

美国futurre光刻胶

30．想请教国产光刻胶不能达到膜厚要求，进口的有没有比较好的光刻胶啊？

都可以啊！goodpr是---比较多公司采用的，

但是futurre 光刻胶在国外是比较有名气的，包括很多大型企业都有用，膜厚做的也

比较厚从18um-200um都 可以做到，看你对工艺的要求了。

光刻胶品牌futurre光刻胶产品属性：

1  futurre光刻胶产品简要描述及优势:

1.1   futurre光刻胶黏附性好，无需使用增粘剂hmds

1.2  负性光刻胶常温下可保存3年

1.3  150度烘烤，缩短了烘烤时间

1.4  单次旋涂能够达到100um膜厚

1.5  显影速率快，100微米的膜厚，仅需6~8分钟