NR9 3000P光刻胶价格-“本信息长期有效”

光刻胶概况

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光刻胶又称光致抗蚀剂,是光刻工艺的关键化学品,主要利用光化学反应将所需要的微细图形从掩模版转移到待加工基片上,被广泛应用于光电信息产业的微细图形线路的加工制作,下游主要用于集成电路、面板和分立器件的微细加工,同时在 led、光伏、磁头及精密传感器等制作过程中也有广泛应用,是微细加工技术的关键性材料。光刻胶的主要成分为树脂、单体、光引发剂及添加助剂四类。其中,树脂约占 50%,单体约占35%,光引发剂及添加助剂约占15%。

光刻胶

赛米莱德生产、销售光刻胶，以下信息由赛米莱德为您提供。

1959 年被发明以来就成为半导体工业---的工艺材料之一。随后光刻胶被改进运用到印制电路板的制造工艺,成为 pcb 生产的重要材料。

二十世纪 90 年代,光刻胶又被运用到平板显示的加工制作,对平板显示面板的大尺寸化、高精细化、彩色化起到了重要的推动作用。

在半导体制造业从微米级、亚微米级、深亚微米级进入到纳米级水平的过程中,光刻胶也起着举足轻重的作用。

总结来说,光刻胶产品种类多、性强,需要长期技术积累,对企业研发人员素质、行业经验、技术储备等都具有---要求,企业需要具备光化学、有机合成、高分子合成、精制提纯、微量分析、性能评价等技术,具有---的技术壁垒。

光刻胶的概述　　

光刻胶也称为光致抗蚀剂，是一种光敏材料，它受到光照后特性会发生改变。光刻胶主要用来将光刻掩膜版上的图形转移到晶圆片上。

光刻胶有正胶和负胶之分。正胶经过---后，受到光照的部分变得容易溶解，经过显---被溶解，只留下未受光照的部分形成图形；而负胶却恰恰相反，经过---后，受到光照的部分会变得不易溶解，经过显---，留下光照部分形成图形。

负胶在光刻工艺上应用早，其工艺成本低、产量高，但由于它吸收显影液后会膨胀，导致其分辨率即光刻工艺中所能形成图形不如正胶，因此对于亚微米甚至更小尺寸的加工技术，主要使用正胶作为光刻胶。