大功率IGBT测试仪加工按需定制

三、华科智源igbt测试仪系统特征： a：测量多种igbt、mos管 b：脉冲电流1200a，电压5kv，测试范围广； c：脉冲宽度 50us~300us d：vce测量精度2mv e：vce测量范围>10v f：电脑图形显示界面 g：智能保护被测量器件 h：上位机携带数据库功能 i：mos igbt内部二极管压降 j : 一次测试igbt全部静态参数 k: 生成测试曲线iv曲线直观看到igbt特性，可以做失效分析以及故障定位 l:可以进行不同曲线的对比，观测同一批次产品的曲线状态，或者不同厂家同一规格参数的曲线对比；001～10v 集电极电流ice： 0-1600a 集电极电压vces： 0。

什么是大功率半导体元件？其用途为何？

凡是半导体元件如金属氧化场效晶体管(mosfet)、igbt(insulated gate b.transistor)及triac可控硅、scr晶闸管、 gto等各型闸流体与二极管(di ode)等，其工作电流与电压乘积若大于1kw以上，均可属于大功率的范围。如下图片所示。4验收和测试 1)验收由双方共同参加，按照技术规范书的技术要求逐项完成所有测试项，检验单元是否功能齐全、模块完整、正常运行。此类元件多用于车船，工厂的动力，光电及其他能源的转换上。

3、技术指标 * 3.1 机台可测试器件类型 二极管、mosfet、igbt单管及模组 * 3.2 机台可测igbt项目 及测试范围 vge(th)栅极阈值电压 vces集射极截止电压 ices集射极截止电流 vce(sat)饱和导通压降 iges栅极漏电流 vf二极管导通电压 可以测5000v,1600a以下的igbt模块 * 3.3 机台可测mos项目 vf、vdsat、igss、vgth、bvdss、rds(on)、gfs 3.4 测试项目 测量范围 测试条件与精度 * 3.5 vge(th) 栅极阈值电压 0.1～10v vge：0.1～10v±1%±0.01v； 解析度：0.01v 集电极电流ic： 10～50ma±1%±0.5ma； 50～200ma±1%±1ma；功率模块的vce-ic特性曲线会随着器件使用年限的增加而变化，饱和压降vcesat会逐渐劣化。 200～1000ma±1%±2ma；

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