新能源汽车-IGBT测试仪价格团队在线服务,华科便携式测试台

现今power mosfet(金属氧化物场效晶体管)及igbt绝缘栅型场效应晶体管已成为大功率元件的主流，在市场上居于--。由于科技进步，电力电子装置对轻薄短小及之要求 ,带动mosfet及igbt的发展，尤其应用于电气设备、光电、航天、铁路、电力转换..电子电力产品生产、检修厂——应用本公司测试系统可对所应用到的半导体元器件，尤其对现代新型igbt大功率器件的全参数进行智能化测试、筛选、分析，以-出厂产品的稳定性、-性。..等领域，使半导体开发---在市场需求下，对大功率元件的发展技术，持续在突破。

3.3主要技术要求

3.3.1 动态参数测试单元技术要求

3.3.1.1 环境条件

1)海拔高度：海拔不超过1000m；

2)温度：储存环境温度 -20℃～60℃；

3)工作环境温度： -5℃～40℃；

4)湿度：20%rh 至 90%rh (无凝露，湿球温度计温度: 40℃以下)；

5)震动：抗能力按7级设防，地面抗震动能力≤0.5g；

6)防护：无较大灰尘，腐蚀或性气体，导电粉尘等空气污染的损害；

2.3栅极电荷技术条件 测试参数： 栅极电荷qg：20nc～100uc 20nc～100nc±5%，分辨率±1nc 100nc～500nc±5%，分辨率±5nc 500nc～2uc±5%，分辨率±10nc 2uc～10uc±5%，分辨率±50nc 10uc～100uc±5%，分辨率±100nc 测试条件： 1、栅极驱动电压：-15v～+15v±3%，分辨率±0.1v 2、集电极电流：50～100a±3%±1a; 100～500a±3%±2a; 500～1000a±3%±5a; 3、集电极电压：50～100v±3%±1v 100～500v±3%±5v 500v～1000v±3%±10v 4、栅极驱动电流：满足5a以下测试要求

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