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宜昌肖特基二极管特性-【强元芯电子】

发布者:强元芯电子(广东)有限公司  时间:2020-12-30 









mbr1045ct采用俄罗斯米克朗(mikron)高抗冲击能力芯片;其高抗冲击性能尤为-,框架材质为100%纯铜材料,黑胶部分采用复合材料环氧塑脂材料-浇铸成型;采用台湾健鼎的一体化测试设备,减少人工操作环节.在品质工艺上:二极管制作是使用的健鼎一体化自动生产线设备,全程工艺由电脑控制,模具更为精密完全杜绝毛刺,外观光滑自然美观。

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采用这种结构的sbd,击穿电压由pn结承受。通过调控n-区电阻率、外延层厚度和p+区的扩散-,使反偏时的击穿电压突破了100v这个长期不可逾越的障碍,达到150v和200v。在正向偏置时,高压sbd的pn结的导通门限电压为0.6v,而肖特基势垒的结电压仅约0.3v,故正向电流几乎全部由肖特基势垒供给。

要问肖特基二极管与快恢复二极管的差别,以及为什么采购生产等都喜欢使用肖特基二极管的原因,那就是频率的高低不同,直接影响到应用当中的能源耗损,像asemi的肖特基二极管,其反向恢复时间已能缩短到5ns以内。但它的反向耐压值较低,一般不超过去时100v。因此适宜在低压、大电流情况下工作。利用其低压降这特点,能提高低压、大电流整流或续流电路的效率 。



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