湖北大功率IGBT测试仪厂家在线咨询【华科智源】

测试参数： ices 集电极-发射极漏电流 igesf 正向栅极漏电流 igesr 反向栅极漏电流 bvces 集电极-发射极击穿电压 vgeth 栅极-发射极阈值电压 vcesat 集电极-发射极饱和电压 icon 通态电极电流 vgeon 通态栅极电压 vf 二极管正向导通压降 整个测试过程自动完成，电脑软件携带数据库管理查询功能，可生成测试曲线，方便操作使用。3设备的功能特点 1各种数据以图形方式在检测时实时显示与记录。

3.6 vces 集射极截止电压 0~5000v 集电极电流ices： 0.01～1ma±3%±0.001ma； 1～10ma±2%±0.01ma； 10～50ma±1%±0.1ma； 集电极电压vces： 0-5000v±1.5%±2v； * 3.7 ices 集射极截止电流 0.01～50ma 集电极电压vces： 50～500v±2%±1v； 500～5000v±1.5%±2v； 集电极电流ices： 0.001～1ma±3%±0.001ma； 1～10ma±2%±0.01ma； 10～150ma±1%±0.1ma； * 3.8 vce(sat) 饱和导通压降 0.001～10v 集电极电流ice： 0-1600a 集电极电压vces： 0.001～10v±0.5%±0.001v 栅极电压vge： 5～40v±1%±0.01v 集电极电流ice： 0～100a±1%±1a； 100～1600a±2%±2a； * 3.9 iges 栅极漏电流 0.01～10μa 栅极漏电流iges： 0.01～10μa±2%±0.005μa 栅极电压vge： ±1ｖ～40v±1%±0.1v； vce=0v； * 3.10 vf 正向特性测试 0.1～5v 二极管导通电压vf： 0.1～5v±1%±0.01v 电流if： 0～100a±2%±1a； 100～1600a±1.5%±2a；测试工作电压：10kv整体设备满足gb19517—2009标准外，局部绝缘电压应满足测试需求18其他辅件。

igbt动态参数测试系统技术要求

1、设备概述

该设备用于功率半导体模块igbt、frd、肖特基二极管等的动态参数测试，以表征器件的动态特性，通过测试夹具的连接，实现模块的动态参数测试。

2、需提供设备操作手册、维修手册、零部件清单、基础图、设备总图、部件装配图、电气原理图、全机润滑系统图、电气接线用、计算机控制程序软件及其他---的技术文件，设备有通讯模块必须提供通讯协议及其他---的技术文件，所有资料必须准备正本、副本各一份，电子版一份；用户能对旧品元件作筛选，留下可用元件，确实掌握设备运转的---度。正本、副本技术资料，应至少有一份采用中文，另一份技术资料可以是英文或中文。

14工控机及操作系统

用于控制及数据处理，采用定制化系统，主要技术参数要求如下：

?机箱：4μ 15槽上架式机箱；

?支持atx母板；

?cpμ：intel双核；

?主板：研华simb；

?硬盘：1tb；内存4g；

?3个5.25”和1个3.5”外部驱动器；

?集成vga显示接口、4个pci接口、6个串口、6个μsb接口等。

?西门子plc逻辑控制

15数据采集与处理单元

用于数据采集及数据处理，主要技术参数要求如下：

?示波器;高压探头：满足表格4-11动态参数、短路电流、安全工作区测试需求

?电流探头：满足表格4-11动态参数、短路电流、安全工作区测试需求

?状态监测：ni数据采集卡

?上位机：基于labview人机界面

?数据提取：测试数据可存储为excel文件及其他用户需要的任何数据格式，---是动态测试波形可存储为数据格式；所检测数据可传递位机处理；从检测部分传输的数据经上位机处理后可自动列表显示相应测试数据；?数据处理和状态检测部分内容可扩展

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