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电池片的制作工艺
振鑫焱光伏科技有限公司常年采购:---回收硅片,电池片,初级多晶硅,银浆布,单晶硅,多晶硅,太阳能电池,光伏组件,太阳能电池板,客户撤退,降级,库存,el,---测试,二手,旧,工程,拆卸,路灯,拆解电站,拆卸,胶合板,层压板,无边界晶体硅,多晶硅,单晶硅,实验板,---偿还,返工,光伏模块回收等。
4. 刮胶角度的影响
刮胶角度的调节范围为45-75 度。实际的刮胶角度与浆料有关,浆料黏度越高,流动性越差,需要刮胶对浆料向下的压力越大,刮胶角度接就越小。在印刷压力作用下,刮胶与丝网摩擦。开始一刷时近似直线,刮胶刃口对丝网的压力很大,随着印刷次数增加,刃口呈圆弧形,作用于丝网单位面积的压力明显减小,刮胶刃口处与丝网的实际角度小于 45 度,易使印刷线条模糊,粘网。在可调范围内,减小刮胶角度,下墨量增加,湿重加大。刮胶刃口钝,下墨量多,线宽大。
5. 浆料黏度的影响
印刷时浆料黏度的变化触变性如右图所示:
浆料的黏度与流动性呈反比,黏度越低,流动性越大,可在一定程度---印刷的。浆料黏度过大,透墨性差,印刷时易产生桔皮、小孔。浆料黏度过小,印刷的图形易扩大栅线膨胀,产生气泡、毛边。
6. 纱厚、膜厚的影响
一般情况下,丝网目数越低,线径越粗,印刷后的浆料层越高,因此丝网目数较高时,印刷后浆料层就低一些。对于同目数的丝网,纱厚越厚,透墨量越少。在一定范围内,感光胶膜越厚,下墨量越大,印刷的栅线越高。但膜厚增大,易造成感光胶脱落。
7. 印刷台面的影响
印刷台面的水平度:印刷时电池片被吸附于印刷台面,若台面不平,电池片在负压下易裂。一般电池片水平度应小于 0.02mm 。印刷台面与网版的平行度:决定了印刷浆料的一致性。一般二者平行度应小于 0.04mm 。印刷台的重复定位精度:太阳能电池片印刷台的重复定位精度需达到 0.01mm 。
晶硅太阳能电池板的制作过程
晶硅太阳能光伏板的制做全过程
3、去磷硅玻璃该加工工艺用以太阳能电池片生产加工全过程中,根据有机化学浸蚀法也即把硅片放到---水溶液中侵泡,使其造成放热反应转化成可溶的络和物---硅酸,以除去外扩散制结后在硅片表层产生的一层层磷硅玻璃。在外扩散全过程中,pocl3与o2反映转化成p2o5淀积在硅片表层。p2o5与si反映又转化成sio2和磷分子,那样就在硅片表层产生一层层带有磷原素的sio2,称作磷硅玻璃。去磷硅玻璃的机器设备通常由本身、清理槽、伺服电机驱动器系统软件、机械手臂、电气系统和全自动配酸系统软件等一部分构成,关键能源有---、n2、空气压缩、纯净水,热排风系统和污水。---可以融解sio2由于---与sio2反映转化成容易挥发的四---硅汽体。若---过多,反映转化成的四---硅会深化与---反映转化成可溶的络和物---硅酸。
4、低温等离子刻蚀因为在外扩散全过程中,即便选用背对背外扩散,硅片的全部表层包含边沿都将难以避免地外扩散上磷。pn结的反面所搜集到的光生电子器件会顺着边沿外扩散有磷的地区流进pn结的反面,而导致短路故障。因而,务必对太阳电池附近的夹杂硅开展刻蚀,以除去充电电池边沿的pn结。一般 选用低温等离子刻蚀技术性进行这一加工工艺。低温等离子刻蚀是在底压情况下,反映汽体cf4的孕妈分子结构在频射输出功率的激起下,造成电离并产生等离子技术。等离子技术是由感应起电的电子器件和正离子构成,反映波导管中的汽体在电子器件的碰撞下,除开转化成正离子外,还能---吸收动能并产生很多的特---基团。特---反映基团因为外扩散或是在静电场功效下抵达sio2表层,在那边与被刻蚀原材料表层产生放热反应,并产生挥发物的反映反应物摆脱被刻蚀化学物质表层,被超滤装置抽出来波导管。
电池片各工序影响因素及异常情况
电池片各工艺流程危害要素及异常现象
4.naoh产生金字塔式绒面。naoh浓度值越高,金字塔式容积越小,反映前期,金字塔式成核相对密度类似没受naoh浓度值危害,碱水溶液的腐蚀随naoh浓度值转变比较---,浓度值高的naoh水溶液与硅体现的速率加速,再反映过段时间后,金字塔式容积。naoh浓度值超出必须界线时,各向---系数缩小,绒面会愈来愈差,类似打磨抛光。可控性水平:与ipa相近,线性度不高。
5.na2sio3si和naoh反映生产制造的na2sio3和添加的na2sio3能具有缓冲剂的功效,使反映不会很---,变的轻缓。na2sio3使反映拥有大量的起始点,生长发育出的金字塔式更匀称,更小一点儿na2sio3多的那时候要立即的排出去,na2sio3传热性差,会危害反映,水溶液的黏稠度也提升,非常容易产生水流、花蓝印和表层黑斑。可控性水平:没办法---。4酸洗钝化hcl除去硅片表层的金属材料残渣---具备酸和络合剂的双向功效,---盐能与多种多样金属材料正离子产生可溶解与水的络合物。6酸洗钝化hf除去硅片表层空气氧化层,sio26hf=h2[sif6]2h2o。
基准点1.减薄量界定:硅片制绒前后左右的前后左右净重差。---范畴多晶硅125,硅片薄厚在200±25μm左右,减薄量在0.5±0.2g;硅片薄厚在200±25μm左右,减薄量在0.4±0.2g。多晶硅156,首篮减薄量在0.7±0.2g;之后减薄量在0.6±0.2g。2.绒面分辨规范:成核相对密度高,尺寸适度,匀称。
---范畴:多晶硅:金字塔式规格3~10um。3.外型无豁口,黑斑,裂痕,激光切割线,刮痕,凹痕,有没有白斑病,赃污。
晶体硅电池片
振鑫焱光伏科技有限公司常年采购:---回收硅片,电池片,初级多晶硅,银浆布,单晶硅,多晶硅,太阳能电池,光伏组件,太阳能电池板,客户撤退,降级,库存,el,---测试,二手,旧工程,拆卸,路灯,拆解电站,拆卸,胶合板,层压板,无边界晶体硅,多晶硅,单晶硅,实验板,---偿还,返工,光伏模块回收等。
晶体硅电池片检验方法:
2 外观目测:
a. 与表面成 35 °角日常光照情况下观察表面颜色,目视颜色均匀 一致 ,无明显色差花斑、水痕、手印、划痕及污垢。
b. 隐裂:电池片有隐裂、 肉眼可见的裂纹, 均视为不合格
c. 背面铝背电极完整,表面平整 、 边界清晰 、 无明显凸起的“铝珠 , 脱落 3mm 2 / 个 ≤ 5mm 2 、鼓泡累计面积≤5mm
2 , 背面铝膜与基体材料的附着强度? 背膜烧结:用层压机 130 — 145 度,超过 10 分钟。冷却到室温后,用刀片隔开 1cm 的宽度,用大于 50n 的拉力,铅膜不随 eva 脱落,则认为合格。
d. 受光面栅线:主栅线均匀完整,栅线印刷清晰、对称;主栅线与细栅线处允许≤ 1mm ;细栅线允许≤ 2mm 的脱落;栅线印刷偏离,明显两次印刷的返工片视为不合格;断点的总数≤ 60mm。
e. 崩边:每一边不超过两处崩边,崩边间距*** 30mm 、---≤ 0.5 片子厚度、面积≤ mm 2
f . 电池边缘缺角面积不超过 1mm 2 ,数量不超过 2 个。缺角:一边有一处崩边,面积≤5mm 2 ,一边由两处崩边、面积≤3mm 2
g. 电池的崩边、钝形缺口等外形缺损的尺寸要求:长度不大于 1.5mm ,由边缘向中心的---不大于 0.5mm ,同一片电池上正面出现此类外形缺损数量不超过两处。同时不允许电池上 v 形缺口。
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