KRI考夫曼射频离子源RFICP380溅射沉积纳米纯TI薄膜

西安某大学实验室在纳米纯 ti 薄膜的研究中, 采用伯东 kri 考夫曼射频离子源 rfcip220 溅射沉积纳米纯 ti 薄膜, 制备出的纯ti薄膜可集膜层致密光滑、沉积速率快和平均晶粒尺寸小于20nm等优点.



伯东 kri 射频离子源 rficp220 技术参数:

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离子源型号

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rficp220

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discharge

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rficp 射频

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离子束流

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>;800 ma

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离子动能

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100-1200 v

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栅极直径

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20 cm φ

portant;">;
离子束

portant;">;
-, 平行, 散射

portant;">;
流量

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10-40 sccm

portant;">;
通气

portant;">;
ar, kr, xe, o2, n2, h2, 其他

portant;">;
典型压力

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< 0.5m torr

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长度

portant;">;
30 cm

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直径

portant;">;
41 cm

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中和器

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lfn 2000

* 可选: 灯丝中和器; 可变长度的增量

kri 射频离子源 rficp 220

该溅射沉积是在真空度为 9×10-5pa—3×10-4pa 的真空腔里, 通入气流量为 70ml/min 的氩气, 利用 kri 考夫曼射频离子源 rfcip220 产生的氩离子轰击靶材, 溅射沉积 ti 膜层, 镀膜持续时间30～90min; 完成镀膜的样品待冷却后, 取出.



kri 离子源的---功能实现了---的性能, 增强的---性和新颖的材料工艺. kri 离子源已经获得了理想的薄膜和表面特性, 而这些特性在不使用 kri 离子源技术的情况下是无法实现的.



因此, 该研究项目才采用 kri 考夫曼射频离子源 rfcip220 辅助溅射沉积工艺.





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