KRI考夫曼射频离子源RFCIP220溅射沉积红外器件介质膜

某红外半导体镀膜工业厂商采用伯东 kri 考夫曼射频离子源 rfcip220 辅助溅射沉积红外器件介质膜, 以提高镀膜厚度的均匀性.


伯东 kri 射频离子源 rficp220 技术参数:

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离子源型号

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rficp220

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discharge

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rficp 射频

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离子束流

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>;800 ma

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离子动能

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100-1200 v

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栅极直径

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20 cm φ

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离子束

portant;">;
-, 平行, 散射

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流量

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10-40 sccm

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通气

portant;">;
ar, kr, xe, o2, n2, h2, 其他

portant;">;
典型压力

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< 0.5m torr

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长度

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30 cm

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直径

portant;">;
41 cm

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中和器

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lfn 2000

* 可选: 灯丝中和器; 可变长度的增量

kri 射频离子源 rficp 220

提高镀膜均匀性的重要性：

以碲镉半导体材料为代表的红外探测器器件工艺中, 几乎都要进行表面钝化和金属膜电极成型工艺, 在红外焦平面和读出电路的互连工艺中, 金属膜的厚度均匀性对于互连工艺的---性起着---的作用. 在背照式红外探测器的红光收面, 往往都要涂镀一层或数层介质膜, 以起到对器件进行保护和对红外辐射减反射的作用, 介质膜的厚度均匀性同样会影响探测器的滤光和接收带宽.



为了提高均匀性, 客户同时采用基片离心旋转法, 样品台转速为 15 r/min.



kri 离子源的---功能实现了---的性能, 增强的---性和新颖的材料工艺. kri 离子源已经获得了理想的薄膜和表面特性, 而这些特性在不使用 kri 离子源技术的情况下是无法实现的.



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上海伯东: 罗女士 台湾伯东: 王女士
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