考夫曼射频离子源 RFICP220 用于溅射沉积硅片金属薄膜

某微电子制造商采用伯东 kri 考夫曼射频离子源 rfcip220 溅射沉积硅片金属薄膜.


 

kri 射频离子源 rficp 220

磁控溅射法制备铝膜是微电子工艺制备金属薄膜常用的工艺之一, 然而在使用磁控溅射设备制备铝膜时, 往往会发现调用同一个工艺菜单, 制备出的铝膜厚度会有所不同, 相差接近40%. 这对于制备---膜厚的铝膜具有 的影响.



kri 离子源的---功能实现了---的性能, 增强的---性和新颖的材料工艺. kri 离子源已经获得了理想的薄膜和表面特性, 而这些特性在不使用 kri 离子源技术的情况下是无法实现的.



因此, 为了提高硅片金属薄膜的均匀性，该制造才采用 kri 考夫曼射频离子源 rfcip220 辅助溅射沉积工艺.




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