HAKUTO离子蚀刻机10IBE应用于碲镉晶体电学特性研究

某研究机构采用hakuto 离子蚀刻机 10ibe 对碲镉晶体进行蚀刻, 并研究碲镉晶体蚀刻后的电学特性.

hakuto 离子蚀刻机 10ibe 技术参数:
portant;"> 基板尺寸
portant;"> < ф8 x 1wfr
portant;"> 样品台
portant;"> 直接冷却水冷0-90 度旋转
portant;"> 离子源
portant;"> 16cm 考夫曼离子源
portant;"> 均匀性
portant;"> ±5% for 4”ф
portant;"> 硅片刻蚀率
portant;"> 20 nm/min
portant;"> 温度
portant;"> <100

hakuto 离子刻蚀机 10ibe 离子源是配伯东公司代理考夫曼博士创立的 kri考夫曼公司的考夫曼离子源 kdc 160

考夫曼离子源 kdc 160 技术参数：
portant;"> 离子源型号
portant;"> 离子源 kdc 160
portant;"> discharge
portant;"> dc 热离子
portant;"> 离子束流
portant;"> >650 ma
portant;"> 离子动能
portant;"> 100-1200 v
portant;"> 栅极直径
portant;"> 16 cm φ

portant;">

试验利用迁移率谱分析了离子束刻蚀后的碲镉晶体, 发现 180μm 的 p 型碲镉晶体在刻蚀后完全转为 n 型, 且由两个不同电学特性的电子层组成:低迁移率的表面电子层和高迁移率的体电子层.
通过分析不同温度下的迁移率谱, 表明表面电子层的迁移率不随温度而变化, 而体电子层的迁移率随温度的变化与传统的n型碲镉材料一致.


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上海伯东 : 罗先生 台湾伯东 : 王
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m: +86 152-0195-1076 m: +886-939-653-958
ec@hakuto-vacuum.cn ec@hakuto.com.tw

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