光刻胶 FUTURREX报价货源好价格,赛米莱德公司

光刻胶工艺

普通的光刻胶在成像过程中，由于存在一定的衍射、反射和散射，降低了光刻胶图形的对比度，从而降低了图形的分辨率。随着---加工特征尺寸的缩小，入射光的反射和散射对提高图形分辨率的影响也越来越大。为了提高---系统分辨率的性能，futurrex 的光刻胶正在研究在---光刻胶的表面覆盖抗反射涂层的新型光刻胶技术。因为用掩膜版和两种不同光刻胶结合，在晶园表面光刻得到的尺寸是不一样的，由于光在图形周围的衍射效应，使得用负胶和亮场掩膜版组合在光刻胶层上得到的图形尺寸要比掩膜版上的图形尺寸小。该技术的引入，可明显减小光刻胶表面对入射光的反射和散射，从而---光刻胶的分辨率性能，但由此将引起工艺复杂性和光刻成本的增加。

光刻胶介绍

光刻胶自1959年被发明以来一直是半导体---材料，随后被改进运用到pcb板的制造，并于20世纪90年代运用到平板显示的加工制造。终应用领域包括消费电子、家用电器、汽车通讯等。

光刻工艺约占整个芯片制造成本的35%，耗时占整个芯片工艺的40%~60%，是半导体制造中---的工艺。

以半导体光刻胶为例，在光刻工艺中，光刻胶被均匀涂布在衬底上，经过---(改变光刻胶溶解度)、显影(利用显影液溶解改性后光刻胶的可溶部分)与刻蚀等工艺，将掩膜版上的图形转移到衬底上，形成与掩膜版完全对应的几何图形。

光刻技术随着ic集成度的提升而不断发展。为了满足集成电路对密度和集成度水平的更高要求，半导体用光刻胶通过不断缩短---波长以---分辨率，芯片工艺水平目前已跨入微纳米级别，光刻胶的波长由紫外宽谱逐步至g线436nm、i线365nm、krf248nm、 arf193nm、f2157nm，以及达到euv(<13.5nm)线水平。结合双掩膜和双刻蚀等技术，现有光刻技术使得我们能够用193nm的激光完成10nm工艺的光刻。

目前，半导体市场上主要使用的光刻胶包括 g 线、i 线、krf、arf四类光刻胶，其中，g线和i线光刻胶是市场上使用量较大的。krf和arf光刻胶---基本被日本和美业所垄断。

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5,显影液

在已经---的硅衬底胶面喷淋显影液，或将其浸泡在显影液中，正胶是---区、而负胶是非---区的胶膜溶入显影液，胶膜中的潜影显现出来，形成三维图像。

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pr1-2000a1 试验操作流程

pr1-2000a1的厚度范围可以做到 1500到3500nm，如下以膜厚2900nm为列；

1,静态滴胶后以1300转/分速度持续40秒。同时必须需要在1秒内达到从0转/分到1300转/分的升速度；

2，前烘：热板120度120秒；

3，冷却至室温；

4，用波长为365,406,436的波长---，

5，在温度为20-25度，使用rd6浸泡式、喷雾、显影 ；

6，去除光刻胶，可使用ch3coch3，rr5,rr41等。