等离子化学气相沉积设备厂家多重优惠,沈阳鹏程真空技术

化学气相沉积法在金属材料方面的使用

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钯的化学气相沉积pd 及其合金对氢气有着极强的吸附作用以及---的选择渗透性能，是一种存储或者净---气的理想材料。对于pd 的使用大多是将钯合金或是钯镀层生产氢净化设备 。也有些学者使用化学气相沉积法将钯制成薄膜或薄层。具体做法是使用分解温度极低的金属有机化合物当做制备钯的材料，具体包括：---pdη-c3h5 η-c5h5以及 pdη-c3h5cf3cochcocf3之类的材料，使用这种方式能够制取出纯度---的钯薄膜。icp刻蚀机简介以下是沈阳鹏程真空技术有限责任公司为您一起分享的内容，沈阳鹏程真空技术有限责任公司生产化学气相沉积，欢迎新老客户莅临。

化学气相沉积过程介绍

化学气相沉积过程分为三个重要阶段：反应气体向基体表面扩散、反应气体吸附于基体表面、在基体表面上发生化学反应形成固态沉积物及产生的气相副产物脱离基体表面。常见的化学气相沉积反应有:热分解反应、化学合成反应和化学传输反应等。通常沉积tic或tin，是向850~1100℃的反应室通入ticl4，h2，ch4等气体，经化学反应，在基体表面形成覆层。化学气相沉积过程介绍化学气相沉积过程分为三个重要阶段：反应气体向基体表面扩散、反应气体吸附于基体表面、在基体表面上发生化学反应形成固态沉积物及产生的气相副产物脱离基体表面。

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化学气相沉积产品概述

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1、适用范围：适合于各单位实验室、---院校实验室、教学等的项目科研、产品中试之用。

2、产品优点及特点：应用于半导体薄膜、硬质涂层等薄膜制备，兼等离子体清洗、等离子体刻蚀。

3、主要用途：主要用来制作sio2、si3n4、非晶si：h、多晶si、sic、w、ti-si、gaas、gasb等介电、半导体及金属膜。

等离子体增强化学气相沉积的主要过程

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等离子体增强化学气相沉积pecvd技术是借助于辉光放电等离子体使含有薄膜组成的气态物质发生化学反应，从而实现薄膜材料生长的一种新的制备技术。nasa使用了c15h21iro6作为制取铱涂层的材料，并利用c15h21iro6的热分解反应进行沉积。由于pecvd技术是通过应气体放电来制备薄膜的，有效地利用了非平衡等离子体的反应特征，从---上改变了反应体系的能量供给方式。一般说来,采用pecvd技术制备薄膜材料时，薄膜的生长主要包含以下三个基本过程：

首先，在非平衡等离子体中，电子与反应气体发生初级反应，使得反应气体发生分解，形成离子和活性基团的混合物；

其二，各种活性基团向薄膜生长表面和管壁扩散输运，同时发生各反应物之间的次级反应；

然后，到达生长表面的各种初级反应和次级反应产物被吸附并与表面发生反应，同时伴随有气相分子物的再放出。