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发布者：飞杨电源技术(深圳)有限公司 时间：2021-5-2
。●初级与次级主绕组必须是近相邻的绕组，这样耦合会更有利。●开关电源在mosfet-d端点工作时候产生的干扰是也是rcd吸收端与变压器相连的端点，在变压器绕制时建议将他绕在变压器的个绕组，并作为起点端，让他藏在变压器里层，这样后面绕组铜线的屏蔽是有较好抑制干扰效果的。●vcc绕组在计算其圈数时尽量的在ic工作电压乘以1.1倍作为误差值，---铜线的压降，因为启动前电流是非常小的，所以这个电阻并没有多少影响，几乎可以忽略不计。
35.传导---，分段处理经验，如下图，这只是处理的一种方法，有些情况并不是能直接套用 36.辐射---，分段处理经验，如下图，适合一些新手---，提供一个参考的方向，有些情况并不是能直接套用，的还是要搞清楚emi产生的机理。 37.关于pcb碰到的问题，如图，为什么99se画板覆铜填充的时候填不满这个位置？像是有死铜一样d1这个元件有个文字描述的属性放在了顶层铜箔，如图 把它放到顶层丝印后，解决。38.变压器铜箔屏蔽主要针对传导，线屏蔽主要针对辐射，当传导---的时候，有可能你的辐射会差，这个时候把变压器的铜箔屏蔽改成线屏蔽，尽量压低30m下降的位置，这样---辐射会快很多。 emi---技巧之一 39.测试辐射的时候，多带点不同品牌的mos、肖特基。
理由：开关管工作时容易干扰到背部的芯片，造成系统不稳定，其它高频器件同理 60.输出的dc线在pcb设计时，要设计成长短一至，焊盘孔间隔要小。 理由：sr的尾部留长是一样长的，当两个焊盘孔间隔太远时，会造成不方便生产焊接 61.mos管、变压器远离ac端，---emi传导。 理由：高频信号会通过ac端耦合出去，从而噪声源被emi设备检测到引起emi问题 62.驱动电阻应靠近mos管。 理由：增加抗干扰能力，提升系统稳定性
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