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抛光三环节研磨、抛光、还原各环节具体含义及标准：1、 研磨：通过表面预处理清除漆面上的污物，消除---氧化、细微划痕及表面缺陷，工艺大多采用水砂纸去除表面瑕疵，一般使用3m 1500-2500皇牌水砂纸。随着人工成本的提高，水磨砂纸研磨效率不高，使用后砂纸痕较重的问题开始---，一些主流站开始采用3m 金字塔砂纸，p1500和p3000砂纸，使用干磨机抛光半湿磨的方式进行研磨，无砂纸痕的残留，机械化操作，可---的提高抛光效率。具体步骤如下：a, 缺陷去除。漆面喷洒少量水，使用p1500金字塔砂纸配合干磨机整体上下左右各一遍，漆面呈亚光状态；打磨后，使用橡胶刮水板刮除表面的白沫，观察漆面，找出突显的缺陷，再在砂碟上喷洒少量水，去除缺陷。b, 漆面过细。使用干磨机配合p3000金字塔砂碟和干磨软垫过细打磨过的漆面，在砂碟和漆面上喷洒一定量的水，以较快的移遮蔽保护动速度，按上下左右顺序各两道打磨整个漆面。打磨后，使用橡胶刮水板刮除表面水和白沫。

1、本抛光液在其使用初期会产生泡沫，因此抛光液液面与抛光槽顶部之间的距离不应***15cm；2、 不锈钢工件在进入抛光槽之前应尽可能将残留在工件表面的水分除去，因工件夹带过多水分有可能造成抛光面出现麻点，局部浸蚀而导致工件报废；3、在电解抛光过程中，作为阳极的不锈钢配件，因其所含的铁、铬元素不断转变为金属离子溶入抛光液内而不在阴极表面沉积。随着化学反应的进行，金属离子浓度会不断增加，当达到一定浓度后，这些金属离子以磷酸盐和---盐形式从抛光液内沉淀析出，沉降于抛光槽底部。因此抛光液必须定期过滤，去除这些固体沉淀物；4、在抛光槽反应过程中，除磷酸、---不断消耗外，水分因蒸发和电解而损失，此外，高粘度抛光液不断被工件夹带损失，抛光液液面不断下降，需经常往抛光槽补加抛光液和水；5、本产品中和后排放符合当今要求

依据机械加工原理、半导体材料工程学、物力化学多相反应多相催化理论、表面工程学、半导体化学基础理论等，对硅单晶片化学机械抛光cmp机理、动力学控制过程和影响因素研究标明，化学机械抛光是一个复杂的多相反应，它存在着两个动力学过程：1抛光首先使吸附在抛光布上的抛光液中的氧化剂、催化剂等与衬底片表面的硅原子在表面进行氧化还原的动力学过程。这是化学反应的主体。2抛光表面反应物脱离硅单晶表面，即解吸过程使未反应的硅单晶重新出来的动力学过程。它是控制抛-率的另一个重要过程。硅片的化学机械抛光过程是以化学反应为主的机械抛光过程，要获得---的抛光片，必须使抛光过程中的化学腐蚀作用与机械磨削作用达到一种平衡。如果化学腐蚀作用大于机械抛光作用，则抛光片表面产生腐蚀坑、桔皮状波纹。如果机械磨削作用大于化学腐蚀作用，则表面产生高损伤层。

多晶金刚石抛光液多晶金刚石抛光液以多晶金刚石微粉为主要成分，配合高分散性配方，可以在保持高切削率的同时不易对研磨材质产生划伤。主要应用于蓝宝石衬底的研磨、led芯片的背部减薄、光学晶体以及硬盘磁头等的研磨和抛光。氧化硅抛光液氧化硅抛光液cmp抛光液是以高纯硅粉为原料，经特殊工艺生产的一种高纯度低金属离子型抛光产品。广泛用于多种材料纳米级的高平坦化抛光，如：硅晶圆片、锗片、化合物半导体材料、磷化铟，精密光学器件、蓝宝石片等的抛光加工。