碳化硅反应烧结机理的研究

对于si和c系统，d.g.wirth等人认为是碳和硅通过碳化硅的扩散速度决定了反应进程，在稍高于硅的熔点温度，一旦碳浸渍在熔融的硅中，碳和硅立即反应生产碳化硅，当碳化硅层在碳的表面形成，碳化硅只有经过此碳化硅层通过扩散才能继续反应形成碳化硅，由于硅和碳的反应速度很快，且液硅与碳的润湿角为0，所以进一步形成碳化硅的反应是由碳和硅通过碳化硅的扩散速度决定的，扩散控制机理有两种模型“收缩模型”和“膨胀模型”，“收缩模型”是硅通过碳化硅层的扩散速率大于碳通过碳化硅层的扩散速率，所以硅扩散通过碳化硅层到达碳-碳化硅的界面与碳反应生成碳化硅，这样可以形成连续的碳化硅层，“膨胀模型”认为碳扩散通过碳化硅层到达碳化硅与熔融硅的界面与硅反应生成碳化硅。

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