便携式IGBT测试仪批发给您好的建议「多图」

华科智源igbt电参数测试仪，可用于多种封装形式的igbt的测试，还可以测量大功率二极管、igbt模块、大功率igbt、大功率双极型晶体管等器件的vi特性测试，广泛应用于轨道交通，电动汽车，风力发电，焊机行业的igbt来料选型和失效分析。半导体元器件检测中心——应用本公司测试系统可扩大检测中心的检测范围、提高检测效率，提升检测水平，增加经济效益。测试过程简单，既可以在测试主机里设置参数直接测试，又可以通过软件控制主机编程后进行自动测试。

深圳市华科智源科技有限公司，是一家从事功率半导体测试系统自主研发制造与综合测试分析服务的高新技术企业，坐落于改革开放之都-中国深圳，---业务为半导体功率器件智能检测准备研制生产，公司产品主要涉及smt首件检测仪，mos管直流参数测试仪，mos管动态参数测试仪，igbt动态参数测试系统，igbt静态参数测试仪，在线式检修用igbt测试仪，变频器检修用igbt测试仪，igbt模块测试仪，轨道交通检修用igbt测试仪，风力发电检修用igbt测试仪。凡是半导体元件如金属氧化场效晶体管(mosfet)、igbt(insulatedgateb。

为何老化的元件必须尽早发现及尽早更换？

当功率元件老化时，元件的内阻在导通时---会加大，因而使温度升高，并使其效能降低。长期使用后若温升过高时，会使元件在关闭时的漏电流急遽升高。2主要技术参数 1基本参数 功率源： 5000v1200a 2栅极-发射极漏电流iges iges： 0。(因漏电流是以温度的二次方的曲线增加)，进而使半导体的接口产生大量崩溃，而将此元件完全烧毁。当元件损毁时，会连带将其驱动电路上的元件或与其并联使用的功率元件一并损伤，所以，必须即早发现更换。

3.6 vces 集射极截止电压 0~5000v 集电极电流ices： 0.01～1ma±3%±0.001ma； 1～10ma±2%±0.01ma； 10～50ma±1%±0.1ma； 集电极电压vces： 0-5000v±1.5%±2v；高压探头：满足表格4-11动态参数、短路电流、安全工作区测试需求。 * 3.7 ices 集射极截止电流 0.01～50ma 集电极电压vces： 50～500v±2%±1v； 500～5000v±1.5%±2v； 集电极电流ices： 0.001～1ma±3%±0.001ma； 1～10ma±2%±0.01ma； 10～150ma±1%±0.1ma； * 3.8 vce(sat) 饱和导通压降 0.001～10v 集电极电流ice： 0-1600a 集电极电压vces： 0.001～10v±0.5%±0.001v 栅极电压vge： 5～40v±1%±0.01v 集电极电流ice： 0～100a±1%±1a； 100～1600a±2%±2a； * 3.9 iges 栅极漏电流 0.01～10μa 栅极漏电流iges： 0.01～10μa±2%±0.005μa 栅极电压vge： ±1ｖ～40v±1%±0.1v； vce=0v； * 3.10 vf 正向特性测试 0.1～5v 二极管导通电压vf： 0.1～5v±1%±0.01v 电流if： 0～100a±2%±1a； 100～1600a±1.5%±2a；

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