NR9 3000PY光刻胶公司-,北京赛米莱德有限公司
光刻胶经过几十年不断的发展和进步,应用领域不断扩大,衍生出非常多的种类,按照应用领域,光刻胶可以划分为印刷电路板(pcb)用光刻胶、液晶显示(lcd)用光刻胶、半导体用光刻胶和其他用途光刻胶。其中,pcb 光刻胶技术壁垒相对其他两类较低,而半导体光刻胶代表着光刻胶技术水平。
(1)半导体用光刻胶
在半导体用光刻胶领域,光刻技术经历了紫外全谱(300~450nm)、g 线(436nm)、i 线 (365nm)、深紫外(duv,包括 248nm 和 193nm)和极紫外(euv)六个阶段。相对应于各---波长的光刻胶也应运而生,光刻胶中的关键配方成份,如成膜树脂、光引发剂、添加剂也随之发生变化,使光刻胶的综合性能---地满足工艺要求。
(2)lcd光刻胶
在lcd 面板制造领域,光刻胶也是极其关键的材料。根据使用对象的不同,可分为 rgb 胶(彩色胶)、bm胶(黑色胶)、oc 胶、ps 胶、tft 胶等。
光刻工艺包含表面准备、涂覆光刻胶、前烘、对准---、显影、坚膜、显影检查、刻蚀、剥离、终检查等步骤,以实现图形的转移,制造特定的微结构。
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根据化学反应机理和显影原理的不同,光刻胶可以分为负性胶和正性胶。对某些溶剂可溶,但经---后形成不可溶物质的是负性胶;反之,对某些溶剂不可溶,经---后变成可溶的为正性胶。 从需求端来看,光刻胶可分为半导体光刻胶、面板光刻胶和pcb光刻胶。其中,半导体光刻胶的技术壁垒较高。
光刻胶产品种类多、---性强,是典型的技术密集型行业。不同用途的光刻胶---光源、反应机理、制造工艺、成膜特性、加工图形线路的精度等性能要求不同,导致对于材料的溶解性、耐蚀刻性、耐热性等要求不同。因此每一类光刻胶使用的原料在化学结构、性能上都比较特殊,要求使用不同品质等级的光刻胶---化学品。
在---过程中,正性胶通过感光化学反应,切断树脂聚合体主链和从链之间的联系,达到削弱聚合体的目的,所以---后的光刻胶在随后显影处理中溶解度升高。---后的光刻胶溶解速度几乎是未---的光刻胶溶解速度的10倍。而负性胶,在感光反应过程中主链的随机十字链接更为紧密,并且从链下坠物增长,所以聚合体的溶解度降低。见正性胶在---区间显影,负性胶则相反。负性胶由于---区间得到保留,漫射形成的轮廓使显---的图像为上宽下窄的图像,而正性胶相反,为下宽上窄的图像。
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基于感光树脂的化学结构,光刻胶可以分为三种类型。
光聚合型,采用烯类单体,在光作用下生成自由基,自由基再进一步引发单体聚合,然后生成聚合物,具有形成正像的特点。
光分解型,采用含有---醌类化合物的材料,经光照后,会发生光分解反应,由油溶性变为水溶性,可以制成正性胶。
光交联型,采用---月桂酸酯等作为光敏材料,在光的作用下,其分子中的双键被打开,并使链与链之间发生交联,形成一种不溶性的网状结构,而起到抗蚀作用,这是一种典型的负性光刻胶。
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