RR41光刻胶公司货源充足「赛米莱德」

光刻工艺重要性二

光刻胶的---波长由宽谱紫外向g线***i线***krf***arf***euv(13.5nm)的方向移动。随着---波长的缩短，光刻胶所能达到的---分辨率不断提高，光刻得到的线路图案精密度---，而对应的光刻胶的价格也更高。

光刻光路的设计，有利于进一步提升数值孔径，随着技术的发展，数值孔径由0.35发展到大于1。相关技术的发展也对光刻胶及其配套产品的性能要求变得---严格。

工艺系数从0.8变到0.4，其数值与光刻胶的产品有关。结合双掩膜和双刻蚀等技术，现有光刻技术使得我们能够用193nm的激光完成10nm工艺的光刻。

为了实现7nm、5nm制程，传统光刻技术遇到瓶颈，euv(13.5nm)光刻技术呼之欲出，台积电、三星也在相关领域进行布局。euv光刻光路基于反射设计，不同于上一代的折射，其所需光刻胶主要以无机光刻胶为主，如金属氧化物光刻胶。

nr9-1000py

问题回馈：

1．我们是led制造商，麻烦几款可以用于离子蚀刻和lift-off工艺的光刻胶。

a 据我所知，futurrex

有几款胶很，nr7-1500p

nr7-3000p是专门为离子蚀刻

设计的，nr9-3000py可以用于lift-off上的应用。

2．请问有没有可以替代goodpr1518，micropure去胶液和goodpr显影液的产品？

a 美国光刻胶，futurrex

正胶pr1-2000a

, 去胶液rr4，和显影液rd6可以解决以上问题。

3．你们是否有可以替代shipley

s1805的用于dvd的应用产品？

a 我们建议使用futurrex

pr1-500a , 它有几个优点：比较好的解析度，比较好的线宽控制，

反射比较少，不需要hmds，rie后去除容易等~

4． 求助，耐高温的光阻是那一种？

a futurrex, nr7 serious(负光阻)orpr1 serious(正光阻)，再经过hmcts

silyiation process,可以达到耐高温200度，pspi透明polyimide,可耐高温250度以上。

5．厚膜光阻在镀金应用上，用哪一种比较理想？

a futurrex , nr4-8000p比干膜，和其他市面上的湿膜适合，和理想。

6．请教lift-off制程哪一种光阻适合？

a 可以考虑使用futurrex

，正型光阻pr1，负型光阻用nr1&nr7,它们都可以耐高温180度，完全可以取代一般制作pattern的光阻。

7．请问，那位知道，rie

mask,用什么光阻比较好？

a 正型光阻用pr1系列，负型光阻使用nr5，两种都可以耐高温180度。

8．一般厚膜制程中，哪一种光阻适合？

a nr9-8000p有---的深宽比超过4：1，一般厚膜以及，mems产品的高需求。

9．在deep

rie和mask 可以使用nrp9-8000p吗？

a 建议不使用，因为使用nr5-8000理想和适合。

10．我们是oled，我们有一种制程上需要一层spacer，那种光阻适合？

a 有一种胶很适合，美国futurrex

生产的nr1-3000py

and和

nr1-6000py,都适合在oled制程中做spacers

光刻胶

pcb

光刻胶

主要分为干膜光刻胶、湿膜光刻胶又称为抗蚀刻/线路油墨、光成像阻焊油墨等。pcb 光刻胶技术壁垒相对较低，主要是中低端产品。

lcd

包含彩色滤光片用彩色光刻胶及黑色光刻胶、lcd 触摸屏用光刻胶、tft-lcd 正性光刻胶等产品。

彩色滤光片是lcd

实现彩色显示的关键器件，占面板成本的14%~16%；在彩色滤光片中，彩色光刻胶和黑色光刻胶是---材料，占其成本的27%左右，其中黑色光刻胶占彩色滤光片材料成本的6%~8%。

半导体光刻胶

包括g 线光刻胶、i 线光刻胶、krf 光刻胶、arf 光刻胶、聚酰ya光刻胶、掩膜板光刻胶等。