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NR29 25000P光刻胶报价-,赛米莱德公司

发布者: 北京赛米莱德贸易有限公司  时间:2021-6-16 






光刻胶工艺

主要用于半导体图形化工艺,是半导体制造过程中的重要步骤。光刻工艺利用化学反应原理把事先制备在掩模上的图形转印到晶圆,完成工艺的设备光刻机和光刻胶都是占半导体芯片工厂资产的大头。

在目前比较主流的半导体制造工艺中,一般需要40 步以上独立的光刻步骤,贯穿了半导体制造的整个流程,光刻工艺的---程度决定了半导体制造工艺的---程度。光刻过程中所用到的光刻机是半导体制造中的---设备。目前,asml 的nxe3400b售价在一亿欧元以上,---一架f35 -。

按---波长,光刻胶可分为紫外300~450 nm光刻胶、深紫外160~280 nm光刻胶、极紫外euv,13.5 nm光刻胶、电子束光刻胶、离子束光刻胶、x射线光刻胶等。按照应用领域的不同,光刻胶又可以分为印刷电路板pcb用光刻胶、液晶显示lcd用光刻胶、半导体用光刻胶和其他用途光刻胶。pcb光刻胶技术壁垒相对其他两类较低,而半导体光刻胶代表着光刻胶技术---水平。

赛米莱德本着多年光刻胶行业经验,---光刻胶研发定制与生产,---的光刻胶生产设备和技术,建立了严格的产品生产体系,想要更多的了解,欢迎咨询图片上的热线电话!!!



   光刻胶的主要技术参数

1.灵敏度sensitivity

灵敏度是衡量光刻胶---速度的指标。光刻胶的灵敏度越高,所需的---剂量越小。单位:毫焦/平方厘米或mj/cm2。

2.分辨率resolution

区别硅片表---邻图形特征的能力。一般用关键尺寸cd,critical dimension来衡量分辨率。形成的关键尺寸越小,光刻胶的分辨率越好。

光刻胶的分辨率是一个综合指标,影响该指标的因素通常有如下3个方面:

(1) ---系统的分辨率。

(2) 光刻胶的对比度、胶厚、相对分子等。一般薄胶容易得到高分辨率图形。

(3) 前烘、---、显影、后烘等工艺都会影响光刻胶的分辨率。  

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光刻胶的成分

树脂:光刻树脂是一种惰性的聚合物基质 ,是用来将其他材料聚合在一-起的粘合剂。 光刻胶的粘附性、胶膜厚度等都是树脂给的。

感光剂:感光剂是光刻胶的---部分,他对光形式的辐射能,---在紫外区会发生反应。---时间、光源所发射光线的强,度都根据感光剂的特性选择决定的。

溶剂:光刻胶中容量较大的成分,感光剂和添加剂都是固体物质,为了方便均匀的涂覆,要将他们加入溶剂进行溶解,形成液态物质,并且使之具有---的流动性,可以通过选择方式涂布在waf er表面。

添加剂:用以改变光刻胶的某些特性,如---光刻胶发生反射而添加染色剂。




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