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沈阳氧化锌晶体公司-定制 合肥合瑞达纯度高
氧化锌zno单晶是具有六方晶系纤锌矿型化合物的晶体结构的半导体，其可直接跃 迁，禁带宽度(eg 3. 37ev)大。此外，与其它半导体材料(gan :21mev、znse :20mev)相比， 其激子结合能(zno :60mev)非常大，因此，可期待将其用作的发光器件材料。氧化锌zno晶体具有四种晶体结构,闪锌矿结构(与金刚石类似,可看成氧原子fcc排列,4个锌原子占据金刚石中晶胞内四个碳原子的位置);nac结构;cscl结构(氧原子简单立方排列,锌原子占据体心位置);纤锌矿结构(六方结构,氧原子层和锌原子层呈六方紧密排列)。
氧化锌zno晶体作为新一代宽禁带、直接带隙的多功能ibⅵa族半导体材料,具有优良的光电、导电、压电、气敏、压敏等特性。氧化锌zno晶体主要性能参数：晶体结构：六方；晶格常数：a=3.252a c=5.313 a；密度：5.7g/cm3；硬度：4mohs；熔点：1975℃；热膨胀系数：6.5 x 10-6 /℃//a 3.7 x 10-6 /℃//c；热 容：0.125 cal /g.m；热电常数：1200 mv/k @ 300 ℃；热 导：0.006 cal/cm/k。
氧化锌晶体作为新一代宽禁带、直接带隙的多功能ⅱ-ⅵ族半导体材料,具有优良的光电、导电、压电、气敏、压敏等特性。zno半导体室温带隙为3.37ev,且束缚激子能---60mev,使其在紫外半导体光电器件方---有很大潜在应用价值。制备难度和---的应用前景使得氧化锌晶体的生长技术成为材料研究的-。氧化锌晶体可控生长的关键是控制成核和生长过程,而试验中各工艺参数决定着成核和生长过程,控制了氧化锌晶体的尺寸。
一种生长氧化锌晶体的方法,在真空下,通入保护气,以氧化锌的粉为粉源,将氧化锌的粉加热使其升华为气体,所述升华的气体在温度梯度作用下被输运到氧化锌籽晶表面且结晶生长.采用升华法生长氧化锌晶体装置,加热速度快,生长室容易达到高真空,可通过改变工艺条件实现对氧化锌晶体尺寸,生长速度的控制,可获得高大尺寸氧化锌晶体;克服了现有技术生长速率低的不足,且工艺设备要求简单,成本较低.
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