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光刻胶的应用

光刻胶的应用

       1975年，美国的国际半导体设备与材料协会首先为微电子工业配套的超净高纯化学品制定了国际统一标准——semi标准。1978年，德国的伊默克公司也制定了mos标准。两种标准对超净高纯化学品中金属杂质和(尘埃)微粒的要求各有侧重，分别适用于不同级别ic的制作要求。其中，semi标准更早取得范围内的---。一部分闪存产品前段器件形成时，需要利用前面存储单元cell区域的层多晶硅与光刻胶共同定义掺杂的区域，由于光刻胶是作为高浓度金属掺杂时的阻挡层，在掺杂的过程中，光刻胶的外层吸附了一定浓度的金属离子，这使得光刻胶外面形成一层坚硬的外壳。

lcd市场助力

全球lcd面板总出货面积增长，lcd光刻胶需求增加。据witsview数据，虽然近三年国际lcd厂商面板出货量有所下降，但是由于大屏显示的市场扩增，lcd整体出货面积变大，2016年出货总面积达到1.7亿平方米，同比增长4.6%。随着lcd出货面积的持续增长，中国产业---预测，未来几年全球lcd光刻胶的需求量增长速度为4%~6%。随着国内厂商占据lcd市场比重越来越大，国内lcd光刻胶需求也会持续增长。结合双掩膜和双刻蚀等技术，现有光刻技术使得我们能够用193nm的激光完成10nm工艺的光刻。

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光刻胶底膜处理：清洗：清洁干燥，使硅片与光刻胶---的接触。烘干：去除衬底表面的水汽，使其---干燥，增粘处理(涂底)： 涂上增加光刻胶与硅片表面附着能力的化合物，hmds，光刻胶疏水，sio2 空气中，si-oh, 表面有，亲水性，使用hmds h2c6si2nh 涂覆，熏蒸  与 si –oh结合形成si-o-si(ch2)2，与光刻胶相亲。在工艺发展的早期，负胶一直在光刻工艺中占------，随着vlsiic和2～5微米图形尺寸的出现，负胶已不能满足要求。