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igbt测试装置技术要求 1设备功能 igbt模块检测装置是用于igbt的静态参数测试。5环境湿度:50%±20%相对湿度4、动态测试基本配置4。系统的测试原理符合相应的---,系统为独立式单元,封闭式结构,具有升级扩展潜能。 igbt模块检测装置是用于igbt的静态参数测试,在igbt的检测中,采用大电流脉冲对igbt进行vce饱和压降及续流二极管压降的检测。为提供稳定的大电流脉冲,采用了支撑电容补偿及步进充电的方法,解决igbt进行vce饱和压降及续流二极管压降的检测问题。
igbt半导体器件测试系统的主要应用领域概括如下:
?半导体元器件检测中心——应用本公司测试系统可扩大检测中心的检测范围、提高检测效率,提升检测水平,增加经济效益;
?半导体元器件生产厂 —— 应用本公司测试系统可对半导体元器件生产线的成品进行全参数的测试、筛选、分析,以---出厂产品的合格率;
?电子电力产品生产、检修厂——应用本公司测试系统可对所应用到的半导体元器件,尤其对现代新型igbt大功率器件的全参数进行智能化测试、筛选、分析,以---出厂产品的稳定性、---性;
?航天、领域 ——— 应用本公司测试系统可对所应用到的元器件,尤其对现代新型igbt大功率器件的全参数进行智能化测试、筛选、分析,以---出厂产品的稳定性、---性;
igbt动态参数测试系统技术要求
1、设备概述
该设备用于功率半导体模块igbt、frd、肖特基二极管等的动态参数测试,以表征器件的动态特性,通过测试夹具的连接,实现模块的动态参数测试。
2、需提供设备操作手册、维修手册、零部件清单、基础图、设备总图、部件装配图、电气原理图、全机润滑系统图、电气接线用、计算机控制程序软件及其他---的技术文件,设备有通讯模块必须提供通讯协议及其他---的技术文件,所有资料必须准备正本、副本各一份,电子版一份;正本、副本技术资料,应至少有一份采用中文,另一份技术资料可以是英文或中文。每个电流模块,都具有独立的供电系统,以便在测试时,提供内部电路及电池组充电之用。
主要参数 测试范围 精度要求 测试条件
vce
集射极电压 150~3300v 150~500v±3%±1v;
500~1000v±2%±2v;
1000~3300v±1%±5v; 150~3300v
ic
集射极电流 1~200a 1~200a±3%±1a; 1~200a
vge
栅极电压 -30v~30v -30~0v±1%±0.1v;
0~+30v±1%±0.1v -30v~30v
qg
栅极电荷 400~20000nc ig: 0~50a±3%±0.1ma; 400~20000nc
td(on)、td(off)
开通/关断--- 10~1000ns 10~200±2%±2ns;200~1000±2%±5ns
tr、tf
上升/下降时间 10~1000ns 10~200±2%±2ns;200~1000±2%±5ns;
eon、eoff
开通/关断能量 1~5000mj 1~50mj±2%±0.1mj;
50~200mj±2%±1mj;
200~1000mj±2%±2mj;
1000~5000mj±1%±5mj;
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