风力发电用IGBT测试仪-厂家-「多图」

什么是大功率半导体元件？其用途为何？

凡是半导体元件如金属氧化场效晶体管(mosfet)、igbt(insulated gate b.transistor)及triac可控硅、scr晶闸管、 gto等各型闸流体与二极管(di ode)等，其工作电流与电压乘积若大于1kw以上，均可属于大功率的范围。西门子plc逻辑控制15数据采集与处理单元用于数据采集及数据处理，主要技术参数要求如下：。如下图片所示。此类元件多用于车船，工厂的动力，光电及其他能源的转换上。

如何检测元件有老化的现象？ 半导体元件有许多参数都很重要，有些参数如：放大倍率，触发参数，闩扣，保持参数，崩溃电压等，是提供给---在设计电路时的依据，在检测元件是否有老化的现象时，仅须测量导通参数及漏电流二项即可。6)防护：无较大灰尘，腐蚀或性气体，导电粉尘等空气污染的损害。将量测的数据与其出厂规格相比较，就可判定元件的好坏或退化的百分比。 何谓半导体元件的参数？对元件使用上有何重要性？ 中大功率的元件仅在功能上的完好是不够的，因其必须承受规格上的电压与电流，在某条件下，承受度的数据便称为此元件的参数。若元件的工作条件超过其参数数据，元件可能会---烧毁或造成性的损坏。

产品主要有电力半导体器件、组件、模块包括igbt器件、新型sic器件、功率晶闸管及功率整流管等的检测及---性设备，电气自动化设备，电冶、电化学装置，电力半导体变流装置及各种高、中、低频感应加热电源、感应加热炉，晶闸管高压阀组、gto、igbt、igct、mosfet驱动器、远距离光电转换软件控制系统、光电脉冲触发板、igbt的智能高压驱动板等。安全技术要求：满足gb19517—2009电气设备安全技术规范。

2.4短路技术条件 1、vcc： 200～1000v 200～1000v±3%±2v 2、一次短路电流：20000a 500～1000a±3%±2a 1000a～5000a±2%±5a 5000a～20000a±2%±10a 3、tp：5-30us 2.5雪崩技术条件 1、vce：50～500v±3%±5v 500～1000v±3%±5v 2、ic：1a～50a 1a～9.9a±3%±50ma 10a～50a±3%±1a 3、ea：10mj～20j 10mj～1000mj±3%±1mj 1j～20j±3%±10mj 4、脉冲宽度：40—1000us可设定 5、测试频率：单次 2.6 ntc测试技术条件 阻值测量范围：0～20kω

声明提示：

本页信息（文字、图片等资源）由用户自行发布,若侵犯您的权益请及时联系我们，我们将迅速对信息进行核实处理。