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电池片的制作工艺

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pecvd

pe 目的

在硅片表面沉积一层氮化硅减反射膜，以增加入射在硅片上的光的透射，减少反射，氢原子搀杂在氮化硅中附加了氢的钝化作用。

其化学反应可以简单写成 ： sih 4 +nh 3 =sin:h+3h 2 。

基本 原理

pecvd 技术原理是利用低温等离子体作能量源，样品置于低气压下辉光放电的阴极上，利用辉光放电或另加-体使样品升温到预定的温度，然后通入适量的反应气体，气体经一系列化学反应和等离子体反应，在样品表面形成固态薄膜。 pecvd 方法区别于其它 cvd 方法的特点在于等离子体中含有大量高能量的电子，它们可以提供化学气相沉积过程所需的---能。电子与气相分子的碰撞可以促进气体分子的分解、化合、激发和电离过程，生成活性---的各种化学基团，因而---降低 cvd 薄膜沉积的温度范围，使得原来需要在高温下才能进行的 cvd 过程得以在低温下实现。  

基本特征

1. 薄膜沉积工艺的低温化 < 450 ℃ 。

2. 节省能源，降低成本。

3. 提高产能。

4. 减少了高温导致的硅片中少子寿命衰减。

扩散方式

pe 设备有两类：平板式和管式。

按反应方式分为：直接式岛津和间接式 roth ＆ rau  。

直接式：基片位于一个电极上，直接接触等离子体。  

间接式：基片不接触激发电极。 在微波激发等离子的设备里，等离子产生在反应腔之外，然后由石英管导入反应腔中。在这种设备里微波只激发 nh3 ，而 sih4 直接进入反应腔。间接 pecvd 的沉积速率比直接的要高很多，这对-生产尤其重要。

电池片各工序影响因素及异常情况

振鑫焱光伏科技有限责任公---期购置：天价回收硅片，电池片，初中级多晶硅，银浆布，单晶硅，多晶硅，太阳电池，太阳能组件，太阳能光伏板，顾客撤离，退级，库存量，el，欠佳检测，2手，旧工程项目，拆装，道路路灯，拆卸发电厂，拆装，人造板，层压板，---限结晶硅，多晶硅，单晶硅，试验板，负债---，返修，太阳能发电控制模块收购等。 

电池片各工艺流程危害要素及异常现象 

一回清理危害要素 

1.溫度 

溫度过高，先就是说ipa不太好---，溫度一高，ipa的蒸发迅速，汽泡印就会随着出---，那样就---减少了pn结的合理总面积，反映加重,还会出---影片的飘浮，导致残片率的提升。可控性水平：调整设备的设定，能够---的调整溫度。 

2.時间金字塔式随時间的转变：金字塔式慢慢冒出；表层上基础被小金字塔式遮盖，少数刚开始成才；金字塔式满布的绒面早已产生，仅仅尺寸不匀称，透射率也降至较为低的状况；金字塔式向外扩大企业兼并，容积慢慢澎涨，规格趋向平等，透射率略微降低。可控性水平：调整机器设备主要参数，能够---的调整時间。 

3.ipa1.帮助氡气的释放出来。2.变弱naoh水溶液对硅片的浸蚀幅度，调整各向系数。纯naoh水溶液在高溫下对分子排序较为---的100晶面和较为高密度的111晶面毁坏较为大，每个晶面被浸蚀而消溶，ipa---变弱naoh的浸蚀抗压强度，提升了浸蚀的各向---，有益于金字塔式的成型。酒精含水量过高，碱水溶液对硅水溶液浸蚀工作能力越来越太弱，各向---系数又趋向3。可控性水平：依据初次配液的含水量，及每一次大概耗费的量，来填补足量的液---，线性度不高。