晶圆减薄晶圆抛光GDM300_HAPOIN衡鹏

晶圆减薄晶圆抛光gdm300_hapoin衡鹏
晶圆减薄晶圆抛光gdm300特长：
·the process from back grinding to wafer mounting continuously by fully automatic system, which enable to grind till 25um thickness.
·with 2 head polishing stage, throughput is almost double compared with 1 polish head system.
·built in edge trimming system is available as an option for thin wafer process.
·dual index system, which polishing stage&grinding stage is completely separated, satisfy the cleanness required for tsv&mems process.
·less than ra1a ultra luminance, ultra mirror surface is possible.
晶圆减薄gdm300晶圆抛光特长：
·采用全自动系统，从后磨到贴装的连续过程，可研磨至25um厚度。
·2个磨头阶段，产量几乎是1个磨头系统的两倍。
·内置修边系统可作为薄型晶圆加工的选择。
·双指标体系，抛光阶段和研磨阶段完全分离，满足tsv和mems工艺所需的清洁。
·超亮度小于ra1a，可超镜面。
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