吉林便携式IGBT测试仪价格“本信息长期有效”

测试参数： ices 集电极-发射极漏电流 igesf 正向栅极漏电流 igesr 反向栅极漏电流 bvces 集电极-发射极击穿电压 vgeth 栅极-发射极阈值电压 vcesat 集电极-发射极饱和电压 icon 通态电极电流 vgeon 通态栅极电压 vf 二极管正向导通压降 整个测试过程自动完成，电脑软件携带数据库管理查询功能，可生成测试曲线，方便操作使用。

华科智源igbt测试仪针对 igbt 的各种静态参数而研制的智能测试系统；自动化程度高按照操作人员设定的程序自动工作，计算机可以记录测试结果，测试结果可转化为文本格式存储，测试方法灵活可测试器件以及单个单元和多单元的模块测试，安全稳定对设备的工作状态进行全程实时监控并与硬件进行互锁，具有安全保护功能，测试速度方便快捷。

3、技术指标 * 3.1 机台可测试器件类型 二极管、mosfet、igbt单管及模组 * 3.2 机台可测igbt项目 及测试范围 vge(th)栅极阈值电压 vces集射极截止电压 ices集射极截止电流 vce(sat)饱和导通压降 iges栅极漏电流 vf二极管导通电压 可以测5000v,1600a以下的igbt模块 * 3.3 机台可测mos项目 vf、vdsat、igss、vgth、bvdss、rds(on)、gfs 3.4 测试项目 测量范围 测试条件与精度 * 3.5 vge(th) 栅极阈值电压 0.1～10v vge：0.1～10v±1%±0.01v； 解析度：0.01v 集电极电流ic： 10～50ma±1%±0.5ma； 50～200ma±1%±1ma； 200～1000ma±1%±2ma；

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