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正负光刻胶报价厂家供应
利用这种性能，将光刻胶作涂层，就能在硅片表面刻蚀所需的电路图形。基于感光树脂的化学结构，光刻胶可以分为三种类型。
光聚合型采用烯类单体，在光作用下生成自由基，自由基再进一步引发单体聚合，后生成聚合物，具有形成正像的特点。光分解型采用含有---醌类化合物的材料，经光照后,会发生光分解反应,由油溶性变为水溶性，可以制成正性胶。光交联型采用---月桂酸酯等作为光敏材料,在光的作用下,其分子中的双键被打开，并使链与链之间发生交联，形成一种不溶性的网状结构，而起到抗蚀作用，这是一种典型的负性光刻胶。柯达公司的产品kpr胶即属此类。
主要用于半导体图形化工艺，是半导体制造过程中的重要步骤。光刻工艺利用化学反应原理把事先制备在掩模上的图形转印到晶圆，完成工艺的设备光刻机和光刻胶都是占半导体芯片工厂资产的大头。
在目前比较主流的半导体制造工艺中，一般需要40 步以上独立的光刻步骤，贯穿了半导体制造的整个流程，光刻工艺的---程度决定了半导体制造工艺的---程度。光刻过程中所用到的光刻机是半导体制造中的---设备。目前，asml 的nxe3400b售价在一亿欧元以上，---一架f35 ---。
按---波长，光刻胶可分为紫外300~450 nm光刻胶、深紫外160~280 nm光刻胶、极紫外euv，13.5 nm光刻胶、电子束光刻胶、离子束光刻胶、x射线光刻胶等。按照应用领域的不同，光刻胶又可以分为印刷电路板pcb用光刻胶、液晶显示lcd用光刻胶、半导体用光刻胶和其他用途光刻胶。pcb光刻胶技术壁垒相对其他两类较低，而半导体光刻胶代表着光刻胶技术---水平。
划分光刻胶的一个基本的类别是它的极性。光刻胶在---之后，被浸入显影溶液中。在显影过程中，正性光刻胶曝过光的区域溶解得要快得多。理想情况下，未---的区域保持不变。负性光刻胶正好相反，在显影剂中未---的区域将溶解，而---的区域被保留。正性胶的分辨力往往是较好的，因此在ic制造中的应用更为普及，但mems系统中，由于加工要求相对较低，光刻胶需求量大，负性胶仍有应用市场。
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